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化學(xué)氣相沉積技術(shù)在材料制備中的使用
化學(xué)氣相沉積技術(shù)生產(chǎn)多晶/非晶材料膜:
化學(xué)氣相沉積法在半導(dǎo)體工業(yè)中有著比較廣泛的應(yīng)用。但是,我們過去所熟悉的許多制備方法如高溫熔煉、水溶液中沉淀和結(jié)晶等往往難以滿足這些要求,也難以保證得到高純度的產(chǎn)品。比如作為緣介質(zhì)隔離層的多晶硅沉積層。在當(dāng)代,微型電子學(xué)元器件中越來越多的使用新型非晶態(tài)材料,這種材料包括磷硅玻璃、硼硅玻璃、SiO2以及 Si3N4等等。此外,也有一些在未來有可能發(fā)展成開關(guān)以及存儲記憶材料,例如氧化銅-氧化銅等都可以使用化學(xué)氣相沉積法進(jìn)行生產(chǎn)。
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化學(xué)氣相沉積產(chǎn)品概述
沈陽鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司——專業(yè)生產(chǎn)、銷售化學(xué)氣相沉積,我們公司堅(jiān)持用戶為上帝,想用戶之所想,急用戶之所急,以誠為本,講求信譽(yù),以產(chǎn)品求發(fā)展,以質(zhì)量求生存,我們熱誠地歡迎各位同仁合作共創(chuàng)輝煌。
1、適用范圍:適合于各單位實(shí)驗(yàn)室、高等院校實(shí)驗(yàn)室、教學(xué)等的項(xiàng)目科研、產(chǎn)品中試之用。
2、產(chǎn)品優(yōu)點(diǎn)及特點(diǎn):應(yīng)用于半導(dǎo)體薄膜、硬質(zhì)涂層等薄膜制備,兼等離子體清洗、等離子體刻蝕。
3、主要用途:主要用來制作SiO2、Si3N4、非晶Si:H、多晶Si、SiC、W、Ti-Si、GaAs、GaSb等介電、半導(dǎo)體及金屬膜。
等離子體化學(xué)氣相沉積的化學(xué)反應(yīng)
以下內(nèi)容由沈陽鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司為您提供,希望對同行業(yè)的朋友有所幫助。
等離子體內(nèi)的化學(xué)反應(yīng)
由于輝光放電過程中對反應(yīng)氣體的激勵主要是電子碰撞,因此等離子體內(nèi)的基元反應(yīng)多種多樣的,而且等離子體與固體表面的相互作用也非常復(fù)雜,這些都給PECVD技術(shù)制膜過程的機(jī)理研究增加了難度。對基于PECVD技術(shù)的硅基薄膜的沉積而言,如果能夠深刻揭示其沉積機(jī)理,便可以在保證材料優(yōu)良物性的前提下,大幅度提高硅基薄膜材料的沉積速率。迄今為止,許多重要的反應(yīng)體系都是通過實(shí)驗(yàn)使工藝參數(shù)較優(yōu)化,從而獲得具有理想特性的薄膜。對基于PECVD技術(shù)的硅基薄膜的沉積而言,如果能夠深刻揭示其沉積機(jī)理,便可以在保證材料優(yōu)良物性的前提下,大幅度提高硅基薄膜材料的沉積速率。
ICP刻蝕機(jī)的應(yīng)用
沈陽鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司——生產(chǎn)、銷售ICP刻蝕機(jī),我們公司堅(jiān)持用戶為上帝,想用戶之所想,急用戶之所急,以誠為本,講求信譽(yù),以產(chǎn)品求發(fā)展,以質(zhì)量求生存,我們熱誠地歡迎各位同仁合作共創(chuàng)輝煌。
等離子體處理可應(yīng)用于所有的基材,甚至復(fù)雜的幾何構(gòu)形都可以進(jìn)行等離子體活化、等離子體清洗,等離子體鍍膜也毫無問題。等離子體處理時的熱負(fù)荷及機(jī)械負(fù)荷都很低,因此,低壓等離子體也能處理敏感性材料。等離子刻蝕機(jī)的典型應(yīng)用包括:
等離子體清除浮渣
光阻材料剝離
表面處理
各向異性和各向同性失效分析應(yīng)用等離子刻蝕反應(yīng)材料改性
包裝清洗
鈍化層蝕刻
聚亞酰胺蝕刻
增強(qiáng)粘接力
生物醫(yī)學(xué)應(yīng)用
聚合反應(yīng)
混合物清洗
預(yù)結(jié)合清洗