電池片的制作工藝

振鑫焱光伏科技有限公司常年采購：高價回收硅片，電池片，初級多晶硅，銀漿布，單晶硅，多晶硅，太陽能電池，光伏組件，太陽能電池板，客戶撤退，降級，庫存，El，不良測試，二手，舊，工程，拆卸，路燈，拆解電站，拆卸，膠合板，層壓板，無邊界晶體硅，多晶硅，單晶硅，實驗板，債務(wù)償還，返工，光伏模塊回收等。

影響因素

1 ．頻率

射頻 PECVD 系統(tǒng)大都采用 50kHz~13.56 MHz 的工業(yè)頻段射頻電源。較高頻率（ >4MHz ）沉積的氮化硅薄膜具有更好的鈍化效果和穩(wěn)定性。

2 ．射頻功率

增加 RF 功率通常會改善 SiN 膜的質(zhì)量。但是，功率密度不宜過大，超過 1W/cm2 時器件會造成嚴(yán)重的射頻損傷。

3 ．襯底溫度

PECVD 膜的沉積溫度一般為 250 ～ 400 ℃ 。這樣能保證氮化硅薄膜在HF 中有足夠低的腐蝕速率，并有較低的本征壓力，從而有良好的熱穩(wěn)定性和抗裂能力。低于 200 ℃ 下沉積的氮化硅膜，本征應(yīng)力很大且為張應(yīng)力，而溫度高于 450 ℃ 時膜容易龜裂。

4 ．氣體流量

影響氮化硅膜沉積速率的主要氣體是 SiH4 。為了防止富硅膜，選擇NH3/SiH4=2~20 （體積比）。氣體總流量直接影響沉積的均勻性。為了防止反應(yīng)區(qū)下游反應(yīng)氣體因耗盡而降低沉積速率，通常采用較大的氣體總流量，以保證沉積的均勻性。

5 ．反應(yīng)氣體濃度

SiH4 的百分比濃度及 SiH4/NH3 流量比，對沉積速率、氮化硅膜的組分及物化性質(zhì)均有重大影響。

理想 Si3N4 的 Si/N ＝ 0.75 ，而 PECVD 沉積的氮化硅的化學(xué)計量比會隨工藝不同而變化，但多為富硅膜，可寫成 SiN 。因此，必須控制氣體中的 SiH4 濃度，不宜過高，并采用較高的 SiN 比。除了 Si 和 N 外， PECVD 的氮化硅一般還包含一定比例的氫原子，即 SixNyHZ 或 SiNx :H 。

6 ．反應(yīng)壓力、和反應(yīng)室尺寸 等都是影響氮化硅薄膜的性能工藝參數(shù)。

電池片流程

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電池片流程

1、   車間段位構(gòu)成

WHQ ：硅片為太陽能電池片的載體，硅片的質(zhì)量決定了電池片的轉(zhuǎn)換效率。而該工序則是對硅片的來料檢測，主要是包括厚度， TTV ，電阻率，外觀 （破片，缺角，孔洞，臟污）

需注意 :

1)   切割方向會厚薄不均，放片時需 180 度錯落放置以保證放入載體厚薄均勻，切割方向需要垂直與印刷 細(xì) 柵方向，預(yù)防水波紋出現(xiàn)。

2)   線痕：   單線痕

密集線痕

3 ）原硅片因切割后因有清洗所以會有粘度導(dǎo)致原硅片粘連，放置時需輕微搖晃。

制絨： 目的：去除表面損傷層，對表面進(jìn)行凹凸處理 ，清楚表面硅酸鈉，氧化物，油污以及金屬。以提高光電轉(zhuǎn)換率。

減重 ，活性不均勻會影響到后面 PEVCD 工序使硅片出現(xiàn)問題制絨過程中， 制絨面朝下，裝入載體，載體單孔面為制絨面。在制品時間為兩小時，兩小時內(nèi)要及時送入下一工序。

晶體硅電池片

晶體硅電池片

3) 尺寸：符合廠家提供要求± 0.5mm 尺寸

1)厚度偏差：電池厚度的測量值與標(biāo)稱厚度允許的大差值。

2)總厚度偏差：在一系列點的厚度（包含電極厚度）測量中，被測電池的大厚度與小厚度的差值。

4)彎曲度： 正放電池片于工作臺上，以塞尺測量電池的彎曲度，“ 125 片”的彎曲度不超過 0.75mm ，電池的彎曲變形，一般情況下，用電池的彎曲度來衡量，電池的彎曲度如下圖所示。

5 ）電性能：按來料總數(shù)的千分之二比例進(jìn)行抽測，功率偏差在合同約定范圍之內(nèi)；

可焊性：用符合該電池片的互聯(lián)條,60w烙鐵，溫度 320—380 °。 將互聯(lián)條撕開后，主柵線上留下均勻的銀錫合金，則認(rèn)為該電池片具有可焊性。

7 ） 細(xì)柵線印刷：用橡皮在同一位置來回擦 1 0 次，柵線不脫落則認(rèn)為合格。

8 ） 減反射膜 與基體材料的附著強(qiáng)度的測試采用膠帶試驗測定粘合性的方法，膠帶附著強(qiáng)度不小于 44N/mm ，減反射膜不脫落。