天津市合康雙盛光電信息技術(shù)有限公司于2004年成立，是一家專業(yè)從事光通信器件的研發(fā)、生產(chǎn)及銷售的大型光電信息技術(shù)公司。十年來(lái)，本公司不斷秉承以用戶需要為中心，在專注光通訊器件研發(fā)的同時(shí)，從2005年開(kāi)始研究開(kāi)發(fā)氧化鋯陶瓷轉(zhuǎn)接陶瓷套筒。

網(wǎng)眼尺寸適應(yīng)性強(qiáng)：通過(guò)精準(zhǔn)改變金剛石滾輪和圓形滾輪的軸間距和尺寸，可將網(wǎng)眼尺寸嚴(yán)格控制在10-30mm之間，可根據(jù)需要確定網(wǎng)眼尺寸。適應(yīng)。不同的粒度分類。靈活靈活，，適應(yīng)性強(qiáng)，能夠滿足用戶的不同需求。

氮化硅陶瓷

氮化硅（Si3N4）陶瓷是非氧化物陶瓷中發(fā)展較快的一種工程陶瓷，硅、氮之間以共價(jià)鍵結(jié)合形成［SiN4］四面體結(jié)構(gòu)單元，使陶瓷具有高強(qiáng)度、高硬度、優(yōu)良的氧化和耐腐蝕性能。這些優(yōu)異性能很大程度上取決于原料粉體的性能，因此高純度、高α相含量、粒徑分布窄的氮化硅粉體的制備至關(guān)重要。氮化硅粉體的合成方法主要有直接氮化法、碳熱還原法、等離子法等，其中直接氮化法因工藝簡(jiǎn)單，生產(chǎn)過(guò)程中無(wú)毒副產(chǎn)物以及產(chǎn)品可重復(fù)性好，是目前工業(yè)化生產(chǎn)中常用的方法。

氮化硅有兩種結(jié)晶形態(tài)，即細(xì)顆粒狀的α-Si3N4和針柱狀的β-Si3N4。坯體中細(xì)顆粒的α-Si3N4在燒結(jié)溫度下可轉(zhuǎn)變?yōu)獒樦鶢畹摩?Si3N4，起到自增韌的作用，因此氮化硅陶瓷比碳化硅陶瓷具有更高的強(qiáng)度和韌性，更適合制備刀具、軸承等需要高強(qiáng)度和高韌性的陶瓷制品。氮化硅刀具通常采用熱壓燒結(jié)，以降低溫度、抑制晶粒長(zhǎng)大、提高其致密化程度。氮化硅陶瓷軸承材料不僅需要高的強(qiáng)度和韌性，而且對(duì)晶粒尺寸和致密化的要求也很高。為此，常采用兩次燒結(jié)的工藝，即先用氣壓燒結(jié)至相對(duì)密度90％以上，使表面氣孔基本封閉，然后再進(jìn)行熱等靜壓燒結(jié)，使其相對(duì)密度達(dá)到99.8％以上。

光模塊損壞常見(jiàn)原因分析1．光口污染和損傷由于光接口的污染和損傷引起光鏈路損耗變大，導(dǎo)致光鏈路不通。產(chǎn)生的原因有：a、光模塊光暴露在環(huán)境中，光口有灰塵進(jìn)入而污染；b、使用的光纖連接器端面已經(jīng)污染，光模塊光口二次污染；c、帶尾纖的光接頭端面使用不當(dāng)，端面劃傷等；d、使用劣質(zhì)的光纖連接器；e、插拔不當(dāng)，陶瓷套筒損壞等。2．ESD 損傷ESD 是ElectroStatic Discharge 縮寫即”靜電放電”，是一個(gè)上升時(shí)間可以小于1ns（10 億分之一秒）甚至幾百ps（1ps＝10000 億分之一秒）的非?？斓倪^(guò)程，ESD 可以產(chǎn)生幾十Kv/m甚至更大的強(qiáng)電磁脈沖。靜電會(huì)吸附灰塵，改變線路間的阻抗，影響產(chǎn)品的功能與壽命；ESD的瞬間電場(chǎng)或產(chǎn)生的熱，使元件受傷，短期仍能工作但壽命受到影響；甚至破壞元件的絕緣或?qū)w，使元件不能工作（完全破壞）。ESD 是不可避免，除了提高電子元器件的抗ESD 能力，重要的是正確使用，引起ESD 損傷的因素有：a、環(huán)境干燥，易產(chǎn)生ESD；b、不正常的操作，如：非熱插拔光模塊帶電操作；不做靜電防護(hù)直接用手接觸光模塊靜電敏感的管腳；運(yùn)輸和存放過(guò)程中沒(méi)有防靜電包裝；c、設(shè)備沒(méi)有接地或者接地不良。