光刻膠市場

我國光刻膠市場規(guī)模2015年已達(dá)51.7億元，同比增長11%，高于國際市場增速，但全球占比仍不足15%，發(fā)展空間巨大。2015年我國光刻膠產(chǎn)量為9.75萬噸，而需求量為10.12萬噸，依照需求量及產(chǎn)量增速預(yù)計(jì)，未來仍將保持供不應(yīng)求的局面。中國在2020年P(guān)CB產(chǎn)值有望達(dá)到311億美元，在2015-2020年期間，年復(fù)合增長率略高于國際市場，為3。據(jù)智研咨詢估計(jì)，得益于我國平面顯示和半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，我國光刻膠市場需求，在2022年可能突破27.2萬噸。在光刻膠生產(chǎn)種類上，我國光刻膠廠商主要生產(chǎn)PCB光刻膠，而LCD光刻膠和半導(dǎo)體光刻膠生產(chǎn)規(guī)模較小，相關(guān)光刻膠主要依賴進(jìn)口。放眼國際市場，光刻膠也主要被美國Futurrex 的光刻膠、日本合成橡膠（JSR）、東京應(yīng)化（TOK）、住友化學(xué)、美國杜邦、德國巴斯夫等化工寡頭壟斷。

芯片光刻的流程詳解（一）

在集成電路的制造過程中，有一個(gè)重要的環(huán)節(jié)——光刻，正因?yàn)橛辛怂?，我們才能在微小的芯片上?shí)現(xiàn)功能?，F(xiàn)代刻劃技術(shù)可以追溯到190年以前，1822年法國人Nicephore niepce在各種材料光照實(shí)驗(yàn)以后，開始試圖復(fù)一種刻蝕在油紙上的印痕（圖案)，他將油紙放在一塊玻璃片上，玻片上涂有溶解在植物油中的瀝青。作為光刻工藝自身的首先過程，一薄層的對(duì)紫外光敏感的有機(jī)高分子化合物，即通常所說的光刻膠，要涂在樣品表面(SiO2)。經(jīng)過2、3小時(shí)的日曬，透光部分的瀝青明顯變硬，而不透光部分瀝青依然軟并可被松香和植物油的混合液洗掉。通過用強(qiáng)酸刻蝕玻璃板，Niepce在1827年制作了一個(gè)d’Amboise主教的雕板相的產(chǎn)品。

Niepce的發(fā)明100多年后，即第二次大戰(zhàn)期間才應(yīng)用于制作印刷電路板，即在塑料板上制作銅線路。放眼國際市場，光刻膠也主要被美國Futurrex的光刻膠、日本合成橡膠（JSR）、東京應(yīng)化（TOK）、住友化學(xué)、美國杜邦、德國巴斯夫等化工寡頭壟斷。到1961年光刻法被用于在Si上制作大量的微小晶體管，當(dāng)時(shí)分辨率5um，如今除可見光光刻之外，更出現(xiàn)了X-ray和荷電粒子刻劃等更高分辨率方法。

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三、光刻膠涂覆（Photoresist Coating）

光刻膠涂覆通常的步驟是在涂光刻膠之前，先在900-1100度濕氧化。氧化層可以作為濕法刻蝕或B注入的膜版。廣泛使用:(HMDS)、在PR旋轉(zhuǎn)涂覆前HMDS蒸氣涂覆、PR涂覆前用冷卻板冷卻圓片。作為光刻工藝自身的首先過程，一薄層的對(duì)紫外光敏感的有機(jī)高分子化合物，即通常所說的光刻膠，要涂在樣品表面(SiO2)。首先光刻膠被從容器中取出滴布到置于涂膠機(jī)中的樣品表面，(由真空負(fù)壓將樣品固定在樣品臺(tái)上)，樣品然后高速旋轉(zhuǎn)，轉(zhuǎn)速由膠粘度和希望膠厚度確定。在這樣的高速下，膠在離心力的作用下向邊緣流動(dòng)。

涂膠工序是圖形轉(zhuǎn)換工藝中初的也是重要的步驟。涂膠的質(zhì)量直接影響到所加工器件的缺陷密度。為了保證線寬的重復(fù)性和接下去的顯影時(shí)間，同一個(gè)樣品的膠厚均勻性和不同樣品間的膠厚一致性不應(yīng)超過±5nm(對(duì)于1.5um膠厚為±0.3%)。

光刻膠的目標(biāo)厚度的確定主要考慮膠自身的化學(xué)特性以及所要圖形中線條的及間隙的微細(xì)程度。太厚膠會(huì)導(dǎo)致邊緣覆蓋或連通、小丘或田亙狀膠貌、使成品率下降。問題回饋：1．我們是LED制造商，麻煩推薦幾款可以用于離子蝕刻和Lift-off工藝的光刻膠。在MEMS中、膠厚(烤后)在0.5-2um之間，而對(duì)于特殊微結(jié)構(gòu)制造，膠厚度有時(shí)希望1cm量級(jí)。在后者，旋轉(zhuǎn)涂膠將被鑄膠或等離子體膠聚合等方法取代。常規(guī)光刻膠涂布工序的優(yōu)化需要考慮滴膠速度、滴膠量、轉(zhuǎn)速、環(huán)境溫度和濕度等，這些因素的穩(wěn)定性很重要。

在工藝發(fā)展的早期，負(fù)膠一直在光刻工藝中占主導(dǎo)地位，隨著VLSI IC和2～5微米圖形尺寸的出現(xiàn)，負(fù)膠已不能滿足要求。隨后出現(xiàn)了正膠，但正膠的缺點(diǎn)是粘結(jié)能力差。

用正膠需要改變掩膜版的極性，這并不是簡單的圖形翻轉(zhuǎn)。因?yàn)橛醚谀ぐ婧蛢煞N不同光刻膠結(jié)合，在晶園表面光刻得到的尺寸是不一樣的，由于光在圖形周圍的衍射效應(yīng)，使得用負(fù)膠和亮場掩膜版組合在光刻膠層上得到的圖形尺寸要比掩膜版上的圖形尺寸小。”日前，江蘇博硯電子科技有限公司技術(shù)部章宇軒在接受科技日?qǐng)?bào)記者采訪時(shí)說。用正膠和暗場掩膜版組合會(huì)使光刻膠層上的圖形尺寸變大。

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光刻膠運(yùn)輸標(biāo)識(shí)及注意事項(xiàng)

標(biāo)簽上標(biāo)明的意思

R標(biāo)識(shí)

R10 YI燃。

S標(biāo)識(shí)

S16  遠(yuǎn)離火源-禁止吸煙。

S 24 避免接觸皮膚。

S 33對(duì)靜電放電采取預(yù)防措施。

S 9  將容器保持在通風(fēng)良好的地方。

水生毒性

通過自然環(huán)境中的化學(xué)、光化學(xué)和微生物降解來分解。一般不通過水解降解。300 ppm對(duì)水生生物是安全的。鹵化反應(yīng)可能發(fā)生在水環(huán)境中。