高壓固態(tài)軟啟動器起動過流速斷保護(hù)：在軟起動或運(yùn)行過程中，如果電機(jī)繞組匝間、相間或線路發(fā)生短路或是電流超過速斷設(shè)定值時(shí)，DSC將發(fā)出信號快速脈沖，跳閘并報(bào)警。起動超時(shí)保護(hù)：如在設(shè)定的起動時(shí)間內(nèi)，電機(jī)電流還沒有下降到額定電流以下時(shí)，DSC將作為起動超時(shí)發(fā)出信號快速脈沖，跳閘并報(bào)警。當(dāng)電機(jī)啟動時(shí)，高壓固態(tài)軟啟動柜會按照一定的規(guī)律（如恒流或電壓斜坡）控制晶閘管的導(dǎo)通角，并連續(xù)改變電機(jī)定子繞組的輸入電壓直至全壓，啟動完畢后，旁路接觸器吸合?？煽毓杞M件保護(hù)：如果任一可控硅短路或高壓脈沖器件發(fā)生故障時(shí)，DSC將發(fā)出信號快速脈沖，跳閘并報(bào)警。

湖北鄂動機(jī)電固態(tài)軟啟動供電電源：市電、自備電站、柴油發(fā)電機(jī)組三相交流3～10KV±10%、50HZ～60HZ，根據(jù)拖動負(fù)載的要求，電源容量必須滿足軟起動器對電動機(jī)的起動要求。適用電機(jī)：鼠籠式三相異步電動機(jī)或同步電動機(jī)，電機(jī)額定功率應(yīng)與軟起動器功率匹配。同時(shí)，由于起動電流的降低，避免了電源的電壓降和電壓驟降，保證了電網(wǎng)性能穩(wěn)定，有利于其它電力設(shè)備的正常運(yùn)行。 起動頻次：具體次數(shù)視負(fù)載情況而定，一般負(fù)載情況是每小時(shí)起動不超過四次，可長時(shí)間連續(xù)起動。

高壓固態(tài)軟起動柜主要用于異步和同步電機(jī)的啟停。為適用不同的負(fù)載條件，達(dá)到更好的起動效果，高壓固態(tài)軟啟動柜設(shè)計(jì)了多種控制功能,實(shí)現(xiàn)以起動電動機(jī)所需的曉電流來平穩(wěn)加速起動，有效的降低起動時(shí)電網(wǎng)壓降，克服起動時(shí)的電流沖擊和機(jī)械沖擊；需要軟停時(shí)，能向電動機(jī)提供平緩漸減的可控電壓，使系統(tǒng)平穩(wěn)停車。高壓固態(tài)軟起動柜適用于冶金、石油、化工、水利、電力、輕工、建材、制藥、市政工程等領(lǐng)域的額定電壓為3000-10000V的鼠籠式異步、同步電動機(jī)起動和停止的控制和保護(hù)。當(dāng)需方驗(yàn)收時(shí)發(fā)現(xiàn)到貨設(shè)備不符合本技術(shù)附件要求，需方有權(quán)拒絕驗(yàn)收。能很好地與水泵、風(fēng)機(jī)、壓縮機(jī)、粉碎機(jī)、攪拌機(jī)、皮帶機(jī)等各種機(jī)電設(shè)備配套使用，是理想的高壓電機(jī)起動及保護(hù)設(shè)備。

                                               高壓固態(tài)軟啟動使用晶閘管質(zhì)量咋樣

 高壓固態(tài)軟啟動器雙向可控硅的工作原理1.可控硅是P1N1P2N2四層三端結(jié)構(gòu)元件，共有三個(gè)PN結(jié)，分析原理時(shí)，可 以把它看作由一個(gè)PNP管和一個(gè)NPN管所組成   當(dāng)陽極A加上正向電壓時(shí)，BG1和BG2管均處于放大狀態(tài)。此時(shí)，如果從控制極G輸入一個(gè)正向觸發(fā)信號，BG2便有基流ib2流過，經(jīng)BG2放大，其集電 極電流ic2=β2ib2。因?yàn)锽G2的集電極直接與BG1的基極相連，所以ib1=ic2。此時(shí)，電流ic2再經(jīng)BG1放大，于是BG1的集電極電流 ic1=β1ib1=β1β2ib2。EGRJ鄂動機(jī)電高壓固態(tài)起動器高壓回路是由起動真空接觸器KM2,傍路真空接觸器KM1,電壓互感器PT1PT2PT3,電流互感器TA1TA2,晶閘管組件及其RC保護(hù)、電阻均壓、過壓保護(hù)等輔助電路組成。這個(gè)電流又流回到BG2的基極，表成正反饋，使ib2不斷增大，如此正向饋循環(huán)的結(jié)果，兩個(gè)管子的電流劇增，可控硅 使飽和導(dǎo)通。 由于BG1和BG2所構(gòu)成的正反饋?zhàn)饔?，所以一旦可控硅?dǎo)通后，即使控制極G的電流消失了，可控硅仍然能夠維持導(dǎo)通狀態(tài)，由于觸發(fā)信號只起 觸發(fā)作用，沒有關(guān)斷功能，所以這種可控硅是不可關(guān)斷的。  由于可控硅只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種工作狀態(tài)，所以它具有開關(guān)特性，這種特性需要一定的條件才能轉(zhuǎn)化 2,觸發(fā)導(dǎo)通  在控制極G上加入正向電壓時(shí)因J3正偏，P2區(qū)的空穴時(shí)入N2區(qū)，N2區(qū)的電子進(jìn)入P2區(qū)，形成觸發(fā)電流IGT。在可控硅的內(nèi)部正反饋?zhàn)饔玫幕A(chǔ)上，加上IGT的作用，使可控硅提前導(dǎo)通，導(dǎo)致圖3的伏安特性O(shè)A段左移，IGT越大，特性左移越快。