電容器

精度能達(dá)到0.5級(jí)，局放＜5pC@14.4kV，介質(zhì)損耗＜0.1%，雷電沖擊75kVAC,1.2/50μs，正負(fù)極性各 15 次。

在濾波電路中，電容的耐壓值不要小于交流有效值的1.42倍。另外還要注意的一個(gè)問(wèn)題是工作電壓裕量，一般來(lái)說(shuō)要在15%以上。讓電容器的額定電壓具有較多的余裕，能降低內(nèi)阻、降低漏電流、降低損失角、增加壽命。聚ben乙烯薄膜電容，介質(zhì)損耗小，絕緣電阻高，但是溫度系數(shù)大，可用于高頻電路。雖然說(shuō)， 48V的工作電壓使用50V的鋁電解電容短時(shí)間不會(huì)出現(xiàn)問(wèn)題，但使用久了，壽命就有可能降低。

金屬膜電容的作用

1、積分：用在積分電路中的電容器稱為積分電容。在電勢(shì)場(chǎng)掃描的同步分離電路中，采用這種積分電容電路，可以從場(chǎng)復(fù)合同步信號(hào)中取出場(chǎng)同步信號(hào)；

2、微分：用在微分電路中的電容器稱為微分電容。在觸發(fā)器電路中為了得到尖頂觸發(fā)信號(hào)，采用這種微分電容電路，以從各類信號(hào)中得到尖頂脈沖觸發(fā)信號(hào)；

3、補(bǔ)償：用在補(bǔ)償電路中的電容器稱為補(bǔ)償電容，在卡座的低音補(bǔ)償電路中，使用這種低頻補(bǔ)償電容電路，以提升放音信號(hào)中的低頻信號(hào)，此外，還有高頻補(bǔ)償電容電路；

智能低壓電容器的優(yōu)點(diǎn)

1.積木結(jié)構(gòu)：產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)化、模塊化、取代了傳統(tǒng)的控制器、空氣開(kāi)關(guān)、交流接觸器、可控硅、熱繼電器、電容器，將其合為一個(gè)整體，組柜安裝的時(shí)候采用積木堆積方式。  

2.接線簡(jiǎn)單：多臺(tái)電容器組柜安裝，生產(chǎn)工時(shí)比傳統(tǒng)模式減少60%以上，同時(shí)減少80%連接線，減少80%的節(jié)點(diǎn)，柜內(nèi)簡(jiǎn)潔，實(shí)現(xiàn)在使用現(xiàn)場(chǎng)快速組裝。

電容器的投切方式三

精度能達(dá)到0.5級(jí)，局放＜5pC@14.4kV，介質(zhì)損耗＜0.1%，雷電沖擊75kVAC,1.2/50μs，正負(fù)極性各 15 次

復(fù)合開(kāi)關(guān)投切電容裝置（TSC MSC）復(fù)合開(kāi)關(guān)投切裝置工作原理是先由可控硅在電壓過(guò)零時(shí)投入電容器，然后再由磁保持繼電器觸點(diǎn)并聯(lián)閉合，可控硅退出，電容器在磁保持繼電器觸點(diǎn)閉合下運(yùn)行。因而實(shí)現(xiàn)了投入無(wú)涌流運(yùn)行不發(fā)熱的目的。但為了降低成本，通常選用兩只小功率，低耐壓可控硅串聯(lián)使用，利用可控硅20ms內(nèi)電流可過(guò)載10倍額定電流的特性，過(guò)零投入，再用繼電器閉合運(yùn)行。而磁保持繼電器觸點(diǎn)偏小，且額定機(jī)械壽命一般為5萬(wàn)次，從目前投入市場(chǎng)使用情況看，可控硅時(shí)有擊穿，磁保持繼電器也有卡住不動(dòng)作現(xiàn)象，工作不夠穩(wěn)定。2、如發(fā)現(xiàn)電容器高壓瓷瓶閃烙炸裂或已出現(xiàn)噴油、溢出內(nèi)部絕緣介質(zhì)等現(xiàn)象，也應(yīng)立即判斷為電容器損毀，要妥善處理和回收上繳損毀品，更換新品。優(yōu)點(diǎn)：無(wú)涌流，不發(fā)熱，節(jié)能；缺點(diǎn)：價(jià)格高為接觸器的5倍、壽命短、故障較多、有漏電流、投切速度0.5s左右