IGBT測試裝置技術要求 （1）設備功能 IGBT模塊檢測裝置是用于IGBT的靜態(tài)參數(shù)測試。系統(tǒng)的測試原理符合相應的國家標準，系統(tǒng)為獨立式單元，封閉式結構，具有升級擴展?jié)撃堋?IGBT模塊檢測裝置是用于IGBT的靜態(tài)參數(shù)測試，在IGBT的檢測中，采用大電流脈沖對IGBT進行VCE飽和壓降及續(xù)流二極管壓降的檢測。若元件的工作條件超過其參數(shù)數(shù)據(jù)，元件可能會立刻燒毀或造成性的損壞。為提供穩(wěn)定的大電流脈沖，采用了支撐電容補償及步進充電的方法，解決IGBT進行VCE飽和壓降及續(xù)流二極管壓降的檢測問題。

3、系統(tǒng)基本參數(shù)

3.1 電 壓 源：220VAC ±10% ，50Hz/60Hz 20A RMS；

3.2 加熱功能：室溫～150℃；

3.3 測試功能：可測試IGBT模塊及FRD；

3.4 環(huán)境溫度：25℃±15℃；

3.5 環(huán)境濕度：50% ±20% （相對濕度）

4、動態(tài)測試基本配置

4.1 集電級電壓 Vcc： 50 ~ 1000V；

4.2 集電極電流 Ic： 50 ~ 1000A 感性負載；

4.3 電流持續(xù)時間 It： 10 ~ 1000 us 單個脈沖或雙脈沖的總時間； 4.4 脈 沖 模 式： 單脈沖和雙脈沖；

4.5 單電流脈沖的設置： Vcc，Ic, 電感值（自動計算脈寬）；

4.6 雙電流脈沖的設置： Vcc, Ic, 電感值，間隙時間（10到50us）(脈寬自動計算)；

（開啟Qrr測試：第二個脈寬＝間隙時間，10~50us）；

4.7 設備寄生電感 Lint: < 65nH（感性動態(tài)測試）。

5、感性負載

5.1 有效電感 L 100 200 500 1000 μH；

5.2 電流 Ic 1000 1000 1000 500 A；

外部電感成陣列的內部連接。（外部電感的H值傳給PC，以計算電流源的極限，限制脈寬到1000us）。

6、標準的雙控制極驅動

6.1 門極電阻可人工預先設定如：2.5Ω，5Ω，10Ω等；

6.2 開啟（Trun-ON）輸出電壓 Vge ： 15V；

6.3 關斷（Trun-ON）輸出電壓 Vge- ： -15V；

6.4 脈寬： 10 ~ 1000us （單脈沖、雙脈沖總時間）；

6.5 電壓開關時間： < 50ns；

6.6 輸出內阻： < 0.5Ω；