誠(chéng)薄機(jī)對(duì)晶片誠(chéng)薄的必要性及作用?

根據(jù)制造工藝的要求來(lái)講，目前對(duì)晶片的尺寸、幾何精度、表面潔凈度以及表面微晶結(jié)構(gòu)提出了較高的要求，因此，在制造工藝的過(guò)程中減薄機(jī)對(duì)晶片減薄是相對(duì)不可缺少的一部分。那么，關(guān)于晶片減薄的必要性及作用具體體現(xiàn)哪些方面呢?

1.提高芯片的散熱性能要求

在集成電路中，由于硅基體材料及互聯(lián)金屬層存在電阻，在電流的作用下，芯片要產(chǎn)生的發(fā)熱現(xiàn)象。而在芯片工作的過(guò)程中，由于部分熱量的產(chǎn)生，使得芯片背面產(chǎn)生內(nèi)應(yīng)力。芯片熱量逐漸升高，基體層之間的熱差異性加劇，這無(wú)疑加大了芯片的內(nèi)應(yīng)力。較大的內(nèi)應(yīng)力使芯片生產(chǎn)，這是芯片損壞的主要原因之一。因此，只有通過(guò)減薄機(jī)對(duì)晶片背面進(jìn)行減薄，才可以降低芯片熱阻，有效提高芯片的散熱性能，從而降低了芯片破損的風(fēng)險(xiǎn)，提高了集成電路的可靠性。2.集成電路制造工藝要求

通過(guò)對(duì)晶片減薄工藝后，使其更加有利芯片分離，在一定程度上提高了劃片的質(zhì)量以及成品率。在許多集成電路制造領(lǐng)域內(nèi)，大家對(duì)集成電路芯片超薄化的要求是越來(lái)越高,要想得到高質(zhì)量的超薄芯片，我們就必須通過(guò)晶片減薄工藝的方式從而獲取。

通過(guò)以上兩點(diǎn)可以得出，只有通過(guò)減薄機(jī)對(duì)晶片減薄，才能更好的保證芯片的厚度及尺寸等方面的要求，這也足夠充分的體現(xiàn)了晶片減薄工藝的重要性。

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減薄機(jī)設(shè)備原理

1.本系列橫向減薄研磨機(jī)為全自動(dòng)精密磨削設(shè)備，由真空吸盤(pán)或者電磁吸盤(pán)吸附工件與磨輪作相反方向旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng),磨輪前后擺動(dòng)。該方法磨削阻力小、工件不會(huì)破損，而且磨削均勻生產(chǎn)；

2.設(shè)備可自動(dòng)對(duì)刀、實(shí)際檢測(cè)磨削扭力、自動(dòng)調(diào)節(jié)工件磨削速度，從而防止工件磨削過(guò)程中因壓力過(guò)大產(chǎn)生變形及破損，自動(dòng)補(bǔ)償砂輪磨損厚度尺寸。

高精密橫向減薄設(shè)備特點(diǎn)：

1.可使直徑150晶片厚度減薄到0.08mm厚而不會(huì)破碎。而且平行度與平面度可控制在±0.002mm范圍內(nèi)；

2.減薄，LED藍(lán)寶石襯底每分鐘磨削速度較高可減薄48微米。硅片每分鐘磨削速度較高可減薄250微米；

3.系列研磨機(jī)采用CNC程控系統(tǒng)，觸摸屏操作面板。

立式減薄機(jī)IVG-200S設(shè)備結(jié)構(gòu)

1．構(gòu)成

1）磨盤(pán)主軸系統(tǒng)

2）工件盤(pán)主軸系統(tǒng)

3）進(jìn)給系統(tǒng)

4）控制系統(tǒng)

5）輔助設(shè)備

2。規(guī)格

1）砂輪尺寸：（O.D）200mm×(X)7mm×(T)5mm

2）加工尺寸：較大Φ250mm

3）速度和功率：

砂輪：3,000rpm(無(wú)級(jí)可調(diào))  3.0kW AC伺服電機(jī)

工件：200rpm （無(wú)級(jí)可調(diào)）   0.75kW 齒輪電機(jī)

4)分辨度：0.001mm

5)精度：±0.002mm

6)重復(fù)度：0.001mm

7)研磨范圍：200mm

8)進(jìn)給率：0.1μm-1000μm/sec