半導體真空腔體的應用

中國半導體真空腔體市場近幾年快速發(fā)展,越來越多的公司也表達了進入芯片領域的興趣.以存儲芯片為例,以前中國國內存儲芯片完全靠進口,今年福建晉華集成電路的內存生產線有望投產,另外長江存儲科技公司也在建設內存和閃存芯片生產線.格力、康佳等傳統(tǒng)家電企業(yè)也表示,將進入芯片領域.

據(jù)國際半導體設備與材料協(xié)會報告顯示,中國目前正在天津、西安、北京、上海等16個地區(qū)打造25個FAB建設項目,福建晉華集成電路、長江存儲科技公司等企業(yè)技術水平雖不及韓國,但均已投入芯片量產.報告預測,今年中國半導體設備市場規(guī)模有望達118億美元,實現(xiàn)同比43.9%的增長,并且明年市場規(guī)模有望擴大至173億美元,增長46.6%,成為大市場.而同一時期內韓國的半導體設備市場規(guī)模從179.6億美元減少至163億美元,減幅為9.2%.中國超越韓國成為全球很大半導體設備市場.

真空腔體

真空技術主要包括真空獲得、真空測量、真空檢漏和真空應用四個方面.在真空技術發(fā)展中,這四個方面的技術是相互促進的.

隨著真空獲得技術的發(fā)展,真空應用日漸擴大到工業(yè)和科學研究的各個方面.真空應用是指利用稀薄氣體的物理環(huán)境完成某些特定任務.有些是利用這種環(huán)境制造產品或設備,如燈泡、電子管和等. 這些產品在使用期間始終保持真空,而另一些則只是把真空當作生產中的一個步驟,產品在大氣環(huán)境下使用,如真空鍍膜、真空干燥和真空浸漬等.

真空的應用范圍極廣,主要分為低真空、中真空、高真空和超高真空應用.

影響真空絕緣水平的主要因素

空隙間隔

真空的擊穿電壓與空隙間隔有著比較清晰的關系。試驗標明，當空隙間隔較小時，擊穿電壓跟著空隙間隔的添加而線性添加，但跟著空隙間隔的進一步添加，擊穿電壓的添加減緩，即真空空隙發(fā)作擊穿的電場強度跟著空隙間隔的添加而減小。當空隙到達一定的長度后，單靠添加空隙間隔進步耐壓水平已經好不容易，這時選用多斷口反而比單斷口有利。真空設備常用于脫氣，焊接，制備薄膜涂層，生產半導體/晶圓、光學器件以及特殊材料等。

一般以為短空隙下的穿主要是場致發(fā)射引起的，而長空隙下的的穿則主要是微粒效應所致。

真空度

顯現(xiàn)了空隙擊穿電壓和氣體壓強之間的關系。由圖可以看到真空度高于10-2Pa時，擊穿電壓基本上不再跟著氣體壓力的下降而增大，因為氣體分子碰撞游離現(xiàn)象已不復興效果。當氣體壓力從10-2Pa逐步升高時(真空度下降)，擊穿強度逐步下降，以后又隨氣壓的而。從曲線上可以看出真空度高于10-2Pa時其耐壓強度基本上堅持不變。這就標明，真空滅弧室的真空度在10-2Pa以上時完全可以滿足正常的運用需求。使用真空中氣輝光放電構成等離子體，塵土在等離子體中附著電荷，在電場力效果下被驅向電極外表而集。