替代進(jìn)口技術(shù)據(jù)了解，項(xiàng)目的核心技術(shù)在半導(dǎo)體器件及模塊研發(fā)、制作方面技術(shù)實(shí)力強(qiáng)勁，具有市場競爭力優(yōu)勢。目前，碳化硅 模塊產(chǎn)品已進(jìn)入下游企業(yè)進(jìn)行市場應(yīng)用。此項(xiàng)目落地之后，將有力推動(dòng)該清潔能源領(lǐng)域器件的國產(chǎn)化。例如使用到機(jī)械密封件上，可以稱為碳化硅密封環(huán)，可以分為靜環(huán)、動(dòng)環(huán)、平環(huán)等。借助國內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展優(yōu)勢，全力打造區(qū)域碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈，占領(lǐng)產(chǎn)業(yè)制高點(diǎn)。帶動(dòng)地方經(jīng)濟(jì)發(fā)展，提升自由技術(shù)在國際節(jié)能環(huán)保、清潔能源領(lǐng)域的地位具有重 要的意義。從以上介紹可以看出，碳化硅在個(gè)只能夠高科技新能源技術(shù)的運(yùn)用非常廣泛。

碳化硅出爐偏碳特點(diǎn)：結(jié)晶細(xì)小呈針狀并夾雜炭粒，SiC分解石墨層增厚，爐電阻減小，工作電拔高，電流大。

　　碳化硅出爐偏碳的原因：是攪拌時(shí)混料不均，導(dǎo)致局部碳過量。爐芯表面負(fù)荷小，或送電時(shí)間短，使分解層減薄，硅蒸氣少。爐料配比碳過量。碳素原料粒度過粗，冶煉時(shí)未完全反應(yīng)，呈粒狀遺留在細(xì)晶塊中，呈現(xiàn)碳冒。

　　碳化硅出爐偏碳的解決方法：可適當(dāng)增加冶煉功率，以增加石墨分解層厚度，給結(jié)晶層增加硅蒸氣，增加攪拌時(shí)間，使其混料均勻。

       碳碳復(fù)合材料的用途十分普遍，如：冶金工業(yè)、機(jī)械設(shè)備、化工廠、裝飾建材、輕工業(yè)、電子器件、發(fā)熱體。耐磨材料可做為冶金工業(yè)的凈化劑、除氧劑和面包改良劑。在機(jī)械加工制造層面可做為生成硬質(zhì)合金刀具數(shù)控刀片；生產(chǎn)加工后的硅碳板可做為耐火保溫材料用于瓷器燒造的棚板。中國碳化硅出口主要是碳化硅段砂、粒度砂和微粉，應(yīng)用于研磨領(lǐng)域、冶金、耐火材料、工程陶瓷用原料。根據(jù)深度加工后生產(chǎn)制造的硅微粉，可用于新科技電子元件和遠(yuǎn)紅外輻射源原材料的建筑涂料。高純精準(zhǔn)粉能夠科技航天航空容器的鍍層。對(duì)國際性中國各經(jīng)濟(jì)發(fā)展行業(yè)的用途十分寬闊。