離子束刻蝕機(jī)的原理

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利用輝光放電原理將ya氣分解為ya離子，ya離子經(jīng)過陽極電場的加速對樣品表面進(jìn)行物理轟擊，以達(dá)到刻蝕的作用。把Ar氣充入離子源放電室并使其電離形成等離子體，然后由柵極將離子呈束狀引出并加速，具有一定能量的離子束進(jìn)入工作室，射向固體表面轟擊固體表面原子，使材料原子發(fā)生濺射，達(dá)到刻蝕目的，屬純物理刻蝕。

刻蝕技術(shù)

北創(chuàng)世威納京專業(yè)生產(chǎn)、銷售離子束刻蝕機(jī)，我們?yōu)槟治鲈摦a(chǎn)品的以下信息。

刻蝕技術(shù)（etching technique），是在半導(dǎo)體工藝，按照掩模圖形或設(shè)計(jì)要求對半導(dǎo)體襯底表面或表面覆蓋薄膜進(jìn)行選擇性腐蝕或剝離的技術(shù)。刻蝕技術(shù)不僅是半導(dǎo)體器件和集成電路的基本制造工藝，而且還應(yīng)用于薄膜電路、印刷電路和其他微細(xì)圖形的加工?？涛g還可分為濕法刻蝕和干法刻蝕。

刻蝕工藝過程

以下內(nèi)容由創(chuàng)世威納為您提供，今天我們來分享刻蝕工藝過程的相關(guān)內(nèi)容，希望對同行業(yè)的朋友有所幫助！

等離子體刻蝕工藝包括以下六個步驟。 分離： 氣體由等離子體分離為可化學(xué)反應(yīng)的元素； 擴(kuò)散： 這些元素?cái)U(kuò)散并吸附到硅片表面； 表面擴(kuò)散：到達(dá)表面后， 四處移動； 反應(yīng)： 與硅片表面的膜發(fā)生反應(yīng)； 解吸： 反應(yīng)的生成物解吸， 離開硅片表面； 排放： 排放出反應(yīng)腔。

離子束刻蝕

利用低能量平行Ar 離子束對基片表面進(jìn)行轟擊，表面上未被掩膜覆蓋部分的材料被濺射出，從而達(dá)到選擇刻蝕的目的，它采用純物理的刻蝕原理。離子束刻蝕是目前所有刻蝕方法中分辨率較高，陡真性較好的方法，它可以對所有材料進(jìn)行刻蝕，例如：金屬、合金、氧化物、化合物、混合材料、半導(dǎo)體、絕緣體、超導(dǎo)體等。

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