真空腔體

真空技術(shù)主要包括真空獲得、真空測量、真空檢漏和真空應(yīng)用四個方面.在真空技術(shù)發(fā)展中,這四個方面的技術(shù)是相互促進的.

隨著真空獲得技術(shù)的發(fā)展,真空應(yīng)用日漸擴大到工業(yè)和科學(xué)研究的各個方面.真空應(yīng)用是指利用稀薄氣體的物理環(huán)境完成某些特定任務(wù).有些是利用這種環(huán)境制造產(chǎn)品或設(shè)備,如燈泡、電子管和等. 這些產(chǎn)品在使用期間始終保持真空,而另一些則只是把真空當(dāng)作生產(chǎn)中的一個步驟,產(chǎn)品在大氣環(huán)境下使用,如真空鍍膜、真空干燥和真空浸漬等.

真空的應(yīng)用范圍極廣,主要分為低真空、中真空、高真空和超高真空應(yīng)用.

影響真空絕緣水平的主要因素

電極的幾許形狀

電極的幾許形狀對電場的分布有很大的影響，往往因為幾許形狀不行恰當(dāng)，引起電場在部分過于集中而導(dǎo)致?lián)舸?，這一點在高電壓的真空產(chǎn)品中特別杰出。

電極邊際的曲率半徑大小是重要因素。一般來說，曲率半徑大的電極接受擊穿電壓的能力比曲率半徑小的大。

此外，擊穿電壓還和電極面積的大小成反比，即跟著電極面積的增大而有所下降。面積增大導(dǎo)致耐壓下降的原因主要是放電概率添加。

空隙間隔

真空的擊穿電壓與空隙間隔有著比較清晰的關(guān)系。試驗標(biāo)明，當(dāng)空隙間隔較小時，擊穿電壓跟著空隙間隔的添加而線性添加，但跟著空隙間隔的進一步添加，擊穿電壓的添加減緩，即真空空隙發(fā)作擊穿的電場強度跟著空隙間隔的添加而減小。影響真空絕緣水平的主要因素空隙間隔真空的擊穿電壓與空隙間隔有著比較清晰的關(guān)系。當(dāng)空隙到達一定的長度后，單靠添加空隙間隔進步耐壓水平已經(jīng)好不容易，這時選用多斷口反而比單斷口有利。

一般以為短空隙下的穿主要是場致發(fā)射引起的，而長空隙下的的穿則主要是微粒效應(yīng)所致。