同方迪一高壓瓷介電容介紹

我們大部分電容器都是金屬化電容，比如CBB22就是金屬化聚丙稀薄膜電容, CL21屬于金屬化聚酯薄膜電容器，但瓷片電容很特殊，它是以陶瓷材料為介質(zhì)的電容器，在陶瓷基體兩面涂銀層，然后經(jīng)低溫?zé)摄y質(zhì)薄膜作極板而制成，這種電容器*大的特點就是耐壓高，普通的1KV、 2KV很常見，高-些的6KV、10KV也能做到。其容量損耗隨溫度頻率具高穩(wěn)定性，而且特殊的串聯(lián)結(jié)構(gòu)適合于高電壓極長期工作可靠性。所以在高溫、高壓環(huán)境下，瓷片電容都可以正常穩(wěn)定工作。

同方迪一淺談瓷片電容的常規(guī)特性

瓷片電容是一種用陶瓷作為介質(zhì)的電容器，它和其它的金屬電容相比具有高度的穩(wěn)定性，特別是在震蕩回路中這種穩(wěn)定性甚為明顯。瓷片電容分兩種，一種具有高頻瓷介，一種就是低頻瓷介的。高頻瓷介的電容器一般是用于工作頻率較高的狀態(tài)，低頻瓷介則相反應(yīng)用于頻率較低的環(huán)境，用作對穩(wěn)定性不高的場合。

一般我們可以把瓷片電容分為2個等級，每個等級都有著自己的特性和作用，通常NP0，COG，SL0是1個等級的，X7R，X5R，Y5U，Y5V是另一個等級的， 前者等級的容量穩(wěn)定性很好，基本不隨溫度，電壓，時間等變化而變化，但是一般容量都很小。而后者等級的瓷介電容容量穩(wěn)定性很差，隨著溫度，電壓，時間變化幅度較大，所以一般用在對容量穩(wěn)定性要求不高的場合。

瓷片電容通常不使用在于脈沖電路中，因為這種電容比較容易被脈沖電壓擠壞，雖然比較容易被脈沖電壓擠壞，但是他的穩(wěn)定性相對其它電容來說還是高的，并且瓷片電容還具有很強(qiáng)的耐高溫性質(zhì)和絕緣性質(zhì)。瓷片電容優(yōu)點很多，但是缺點還是有的，那就是容量不能做的很大，這在當(dāng)下大家都追求高容量的情況下是一個很大的缺點，但是已經(jīng)有很多改進(jìn)的方法來讓陶瓷電容也能做到比較大的容量同時體積比較小。

同方迪一高壓陶瓷電容器制作的關(guān)鍵五點

（1）原料要精選

影響高壓陶瓷電容器質(zhì)量的因素，除瓷料組成外，優(yōu)化工藝制造、嚴(yán)格工藝條件是非常重要的。因此，對原料既要考慮成本又要注意純度，選擇工業(yè)純原料時，必須注意原料的適用性。

（2）熔塊的制備

熔塊的制備質(zhì)量對瓷料的球磨細(xì)度和燒成有很大的影響，如熔塊合成溫度偏低，則合成不充分。對后續(xù)工藝不利。如合成料中殘存Ca2 ，會阻礙軋膜工藝的進(jìn)行：如合成溫度偏高，使熔塊過硬，會影響球磨效率：研磨介質(zhì)的雜質(zhì)引入，會降低粉料活性，導(dǎo)致瓷件燒成溫度提高。

（3）成型工藝

成型時要防止厚度方向壓力不均，坯體閉口氣孔過多，若有較大氣孔或?qū)恿旬a(chǎn)生，會影響瓷體的抗電強(qiáng)度。

（4）燒成工藝

應(yīng)嚴(yán)格控制燒成制度，采取性能優(yōu)良的控溫設(shè)備及導(dǎo)熱性良好的窯具。

（5）包封

包封料的選擇、包封工藝的控制以及瓷件表面的清潔處理等對電容器的特性影響很大。岡此，必須選擇抗潮性好，與瓷體表面密切結(jié)合的、抗電強(qiáng)度高的包封料。目前，大多選擇環(huán)氧樹脂，少數(shù)產(chǎn)品也有選用酚醛脂進(jìn)行包封的。還有采取先絕緣漆涂覆，再用酚醛樹脂包封方法的，這對降低成本有一定意義。大規(guī)模生產(chǎn)線上多采用粉末包封技術(shù)。

高壓陶瓷電容器的適用頻率

高壓陶瓷電容器的容量和散逸因素會因頻率的不同而不同，在某頻率下的C與DF變化很大，以致超出我們的規(guī)格值，則該電容器就不適于在這頻率來使用。

頻率對電容量的影響：

我們知道：容量系是由分極而來，分極需要時間，設(shè)若電容器的分極時間需要很長，但用于一高頻電路中，頻率變化的速度比極化時間來得快，則尚未等到電容器極化，極性又發(fā)生變化。后介質(zhì)的分極作用窮于應(yīng)付，而發(fā)生電容器無法達(dá)到預(yù)定容量而產(chǎn)生不良。

頻率對散逸因素的影響：

我們知道：散逸因素是由于等效串聯(lián)電阻所形成。

其中：f為頻率。

因此，發(fā)熱量是受頻率直接影響的，即若 大，則發(fā)熱量大；發(fā)熱量大，則以將造成等效串聯(lián)電阻的增加，也就使DF增大。這就是DF為何會隨頻率的增加而增大的原因，若此陶瓷電容器的發(fā)熱量比散熱量大，則終必造成不好的循環(huán)，而破壞陶瓷電容器。