同方迪一講述整流橋的工作原理

整流橋工作原理　　

整流橋內(nèi)部主要是由四個(gè)二極管組成的橋路來實(shí)現(xiàn)把輸入的交流電壓轉(zhuǎn)化為輸出的直流電壓。

在整流橋的每個(gè)工作周期內(nèi)，同一時(shí)間只有兩個(gè)二極管進(jìn)行工作，通過二極管的單向?qū)üδ埽呀涣麟娹D(zhuǎn)換成單向的直流脈動(dòng)電壓。

對(duì)一般常用的小功率整流橋進(jìn)行解剖會(huì)發(fā)現(xiàn)，其內(nèi)部的結(jié)構(gòu)如圖所示，該全波整流橋采用塑料封裝結(jié)構(gòu)（大多數(shù)的小功率整流橋都是采用該封裝形式）。

橋內(nèi)的四個(gè)主要發(fā)熱元器件——二極管被分成兩組分別放置在直流輸出的引腳銅板上。在直流輸出引腳銅板間有兩塊連接銅板，他們分別與輸入引腳相連，形成我們?cè)谕庥^上看見的有四個(gè)對(duì)外連接引腳的全波整流橋。

由于該系列整流橋都是采用塑料封裝結(jié)構(gòu)，在上述的二極管、引腳銅板、連接銅板以及連接導(dǎo)線的周圍充滿了作為絕緣、導(dǎo)熱的骨架填充物質(zhì)——環(huán)氧樹脂。然而，環(huán)氧樹脂的導(dǎo)熱系數(shù)是比較低的（一般為0.35℃W/m，*高為2.5℃W/m），因此整流橋的結(jié)--殼熱阻一般都比較大（通常為1.0~10℃/W）。

通常情況下，在元器件的相關(guān)參數(shù)表里，生產(chǎn)廠家都會(huì)提供該器件在自然冷卻情況下的結(jié)—環(huán)境的熱阻（Rja）和當(dāng)元器件自帶一散熱器，通過散熱器進(jìn)行器件冷卻的結(jié)--殼熱阻（Rjc）。

同方迪一橋堆簡(jiǎn)介

橋堆是什么呢？

橋堆是一種電子元件，內(nèi)部由多個(gè)二極管組成。主要作用是整流，調(diào)整電流方向。用橋堆整流是比較好的，首先是很方便，而且它內(nèi)部的四個(gè)管子一般是挑選配對(duì)的，所以其性能較接近，還有就是大功率的整流時(shí)，橋堆上都可以裝散熱塊，使工作時(shí)性能更穩(wěn)定，當(dāng)然使用場(chǎng)合不同也要選擇不同的橋堆，不能只看耐壓是否夠，比如高頻特性等。

橋堆的結(jié)構(gòu)

是由四只整流硅芯片作橋式連接，外部采用絕緣朔料封裝而成，大功率整流橋在絕緣層外添加鋅金屬殼包封，增強(qiáng)散熱性能。

同方迪一整流橋堆價(jià)值介紹

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同方迪一6T穩(wěn)定保護(hù)技術(shù)

1、5星鈍化保護(hù)技術(shù)

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3、反相漏電，保護(hù)技術(shù)

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5、芯片防偏，焊接技術(shù)

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同方迪一分享整流橋的主要參數(shù)

整流橋的本質(zhì)是二極管，所以整流橋的主要參數(shù)與二極管類似。

①反向峰值電壓（VRRM）：整流橋能承受的反向電壓*大值，超過此值,整流橋擊穿。示例中GBJ2510反向峰值電壓為1000V。

②平均整流電流（Io）:整流橋長(zhǎng)期工作時(shí)所能承受的流過的*大電流，超過這個(gè)值整流橋熱擊穿。示例中全系列整流橋的平均整流電流在帶散熱片的條件下為25A，不帶散熱片的條件下為4A。

③正向峰值浪涌電流（IFSM）：整流橋能扛住的瞬間電流沖擊*大值，超過此值，整流橋損壞。示例中全系列整流橋能在半個(gè)周期內(nèi)扛住的*大沖擊電流為320A。