同方迪一高壓瓷片電容對比普通瓷片電容

同方迪一高壓瓷片電容特點(diǎn)：

1、嚴(yán)格來料檢驗(yàn)，符合環(huán)保要求，可追查溯源

2、穩(wěn)定安全、絕緣性能高、低損耗、耐沖性強(qiáng)，使用壽命長

3、自動(dòng)化設(shè)備高精密化生產(chǎn)，多臺品質(zhì)檢測儀器

4、原材料.上均采用標(biāo)準(zhǔn)芯片

5、拒絕偷工減料，非標(biāo)代替等不良競爭

普通瓷片電容特點(diǎn)：

1、高損耗、低頻、高壓特性差

2、劣質(zhì)材料，絕緣電阻小，壽命短

3、非標(biāo)準(zhǔn)芯片，安全隱患大

4、偷工減料，為降低成本不惜用非標(biāo)代替

5、設(shè)備落后，不嚴(yán)謹(jǐn)?shù)馁|(zhì)檢流程

同方迪一分享瓷片電容濾波的工作原理

如下圖所示為電容濾波電路，濾波電容容量大，因此一般采用電解電容，在接線時(shí)要注意電解電容的正、負(fù)極。電容濾波電路利用電容的充、放電作用，使輸出電壓趨于平滑。

濾波原理

當(dāng)u2為正半周并且數(shù)值大于電容兩端電壓uC時(shí)，二極管D1和D3管導(dǎo)通，D2和D4管截止，電流一路流經(jīng)負(fù)載電阻RL，另一路對電容C充電。當(dāng)uC>u2，導(dǎo)致D1和D3管反向偏置而截止，電容通過負(fù)載電阻RL放電，uC按指數(shù)規(guī)律緩慢下降。

當(dāng)u2為負(fù)半周幅值變化到恰好大于uC時(shí)，D2和D4因加正向電壓變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)，u2再次對C充電，uC上升到u2的峰值后又開始下降；下降到一定數(shù)值時(shí)D2和D4變?yōu)榻刂?，C對RL放電，uC按指數(shù)規(guī)律下降；放電到一定數(shù)值時(shí)D1和D3變?yōu)閷?dǎo)通，重復(fù)上述過程。

同方迪一瓷片電容封裝

陶瓷電容器雖有上述很多優(yōu)點(diǎn)，但因陶瓷材料本身機(jī)械強(qiáng)度低、易破碎這一缺陷，使其圓片的幾何尺寸受到限制，這也是不同溫度特性有不同容量范圍的主要原因。

通常標(biāo)準(zhǔn)上對低壓圓片電容的允許直徑D≤12mm，高壓電容的圓片允許直徑D≤16mm.如超過這一尺寸，生產(chǎn)加工難度和廢品率就會(huì)有很大增加，并且在瓷片本體上產(chǎn)生的微小裂紋都將對電容器的可靠性產(chǎn)生很大隱患。

圓片式瓷介電容器的包封形式通常按電壓區(qū)分，500VDC以下的低壓產(chǎn)品CC1、CT1系列均采用酚醛樹脂包封，該樹脂絕緣強(qiáng)度和耐濕性較差，但成本較低。為改善耐濕性，此類包封外層均浸用一層薄蠟。1KVDC以下和交流電容系列，均采用絕緣強(qiáng)度和耐濕特性優(yōu)良的阻燃環(huán)氧樹脂包封。

高壓瓷片電容

高壓瓷片電容

瓷片電容是一種用陶瓷材料作介質(zhì)，在陶瓷表面涂覆一層金屬薄膜，再經(jīng)高溫?zé)Y(jié)后作為電極而成的電容器。通常用于高穩(wěn)定振蕩回路中，作為回路、旁路電容器及墊整電容器。優(yōu)點(diǎn)：穩(wěn)定，絕緣性好，耐高壓，缺點(diǎn)：容量比較小。

瓷片電容的識別方法：電容的識別方法與電阻的識別方法基本相同，分直標(biāo)法、色標(biāo)法和數(shù)標(biāo)法3種。電容的基本單位用法拉(F)表示，其它單位還有：毫法(mF)、微法(μF)/mju:/、納法(nF)、皮法(pF)。

瓷片電容就是以陶瓷材料為介質(zhì)的圓板電容器，在“瓷片”電容器中一般DC50v以下叫低壓，DC100V~500V為中高壓，DC1000v~6000v和為高壓，安規(guī)Y電容也是屬于高壓，DC6000v以上為高壓。高壓瓷片電容作用具有耐磨直流高壓的特點(diǎn)，適用于高壓旁路和耦合電路中，其中的低耗損高壓圓片具有較低的介質(zhì)損耗，特別適合在電視和掃描等電路中使用。