MBR1045CT采用俄羅斯米克朗(Mikron)高抗沖擊能力芯片；其高抗沖擊性能尤為顯著，框架材質(zhì)為100％純銅材料，黑膠部分采用復(fù)合材料環(huán)氧塑脂材料一次性澆鑄成型；采用臺(tái)灣健鼎的一體化測(cè)試設(shè)備，減少人工操作環(huán)節(jié).在品質(zhì)工藝上:二極管制作是使用的健鼎一體化自動(dòng)生產(chǎn)線設(shè)備,全程工藝由電腦控制，模具更為精密完全杜絕毛刺，外觀光滑自然美觀。

UL為美國安規(guī)認(rèn)證，是世界上安全試驗(yàn)和鑒定機(jī)構(gòu)整流橋

代表安全檢檢產(chǎn)品運(yùn)作良率是世界上安全試驗(yàn)和鑒定機(jī)構(gòu)

激光打標(biāo)，解決油墨絲印易掉色問題，黑膠材質(zhì)是采用進(jìn)口環(huán)氧塑脂材料

我司技術(shù)力量雄厚，可協(xié)同用戶研發(fā)、設(shè)計(jì)新產(chǎn)品，并可提供現(xiàn)場(chǎng)指導(dǎo)。

“誠信”是強(qiáng)元芯屹立于行業(yè)之本，未來，我們?nèi)詫∈亍罢\信，專業(yè)，務(wù)實(shí)”的服務(wù)理念，不斷完 善創(chuàng)新，努力為客戶和公司同仁共創(chuàng)雙嬴。

編輯：DD

采用這種結(jié)構(gòu)的SBD，擊穿電壓由PN結(jié)承受。通過調(diào)控N-區(qū)電阻率、外延層厚度和P 區(qū)的擴(kuò)散深度，使反偏時(shí)的擊穿電壓突破了100V這個(gè)長(zhǎng)期不可逾越的障礙，達(dá)到150V和200V。在正向偏置時(shí)，高壓SBD的PN結(jié)的導(dǎo)通門限電壓為0.6V，而肖特基勢(shì)壘的結(jié)電壓僅約0.3V，故正向電流幾乎全部由肖特基勢(shì)壘供給。

ASEMI肖特基二極管的結(jié)構(gòu)與封裝介紹

　　肖特基對(duì)管又有共陰(兩管的負(fù)極相連)、共陽(兩管的正極相連)和串聯(lián)(一只二極管的正極接另一只二極管的負(fù)極)三種管腳引出方式。ASEMI品牌肖特基二極管將這兩種封裝都統(tǒng)一使用的是行業(yè)認(rèn)可的TO-220封裝，而區(qū)別則是三只腳以CT來代表，兩只腳的以AC為代表。

　　采用表面封裝的肖特基二極管有單管型、雙管型和三管型等多種封裝形式。

關(guān)于肖特基二極管的應(yīng)用，ASEMI總結(jié)出以下幾點(diǎn)：

肖特基二極管是以金屬和半導(dǎo)體接觸形成的勢(shì)壘為基礎(chǔ)的二極管，簡(jiǎn)稱肖特基二極管(Schottky Barrier Diode)，具有正向壓降低（0.4—1.0V）、反向恢復(fù)時(shí)間很短（0-10納秒），而且反向漏電流較大，耐壓低，一般低于150V，多用于低電壓場(chǎng)合。