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化學(xué)氣相沉積設(shè)備廠家給您好的建議【沈陽鵬程】

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發(fā)布時間:2020-12-11 11:31  






化學(xué)氣相沉積產(chǎn)品概述

沈陽鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司——專業(yè)生產(chǎn)、銷售化學(xué)氣相沉積,我們公司堅持用戶為上帝,想用戶之所想,急用戶之所急,以誠為本,講求信譽(yù),以產(chǎn)品求發(fā)展,以質(zhì)量求生存,我們熱誠地歡迎各位同仁合作共創(chuàng)輝煌。

1、適用范圍:適合于各單位實驗室、高等院校實驗室、教學(xué)等的項目科研、產(chǎn)品中試之用。

2、產(chǎn)品優(yōu)點及特點:應(yīng)用于半導(dǎo)體薄膜、硬質(zhì)涂層等薄膜制備,兼等離子體清洗、等離子體刻蝕。

3、主要用途:主要用來制作SiO2、Si3N4、非晶Si:H、多晶Si、SiC、W、Ti-Si、GaAs、GaSb等介電、半導(dǎo)體及金屬膜。



PCVD與傳統(tǒng)CVD技術(shù)的區(qū)別

以下是沈陽鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司為您一起分享的內(nèi)容,沈陽鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司專業(yè)生產(chǎn)化學(xué)氣相沉積,歡迎新老客戶蒞臨。

PCVD與傳統(tǒng)CVD技術(shù)的區(qū)別在于等離子體含有大量的高能量電子,這些電子可以提供化學(xué)氣相沉積過程中所需要的激發(fā)能,從而改變了反應(yīng)體系的能量供給方式。套棒被安裝在拉絲塔的頂部,下端緩緩放入約2100℃的高溫爐中,此端熔化后被拉成所需包層直徑的光纖(通常為125cm),并進(jìn)行雙層涂覆和紫外固化。由于等離子體中的電子溫度高達(dá)10000K,電子與氣相分子的碰撞可以促進(jìn)反應(yīng)氣體分子的化學(xué)鍵斷裂和重新組合,生成活性更高的化學(xué)基團(tuán),同時整個反應(yīng)體系卻保持較低的溫度。這一特點使得原來需要在高溫下進(jìn)行的CVD過程得以在低溫下進(jìn)行。



等離子體化學(xué)氣相沉積原理及特點

原理是在高頻或直流電場作用下,源氣體電離形成等離子體,基體浸沒在等離子體中或放置在等離子體下方,吸附在基體表面的反應(yīng)粒子受高能電子轟擊,結(jié)合鍵斷裂成為活性粒子,化學(xué)反應(yīng)生成固態(tài)膜。沉積時,基體可加熱,亦可不加熱。為獲得光纖芯層與包層材料的適當(dāng)比例,將熔縮后的石英棒套入一根截面積經(jīng)過精心挑選的管子中,這樣裝配后即可進(jìn)行拉絲。工藝過程包括氣體放電、等離子體輸運(yùn),氣態(tài)物質(zhì)激發(fā)及化學(xué)反應(yīng)等。主要工藝參數(shù)有:放電功率、基體溫度、反應(yīng)壓力及源氣體成分。主要特點是可顯著降低反應(yīng)溫度,已用于多種薄膜材料的制備。

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