脈沖激光沉積介紹

脈沖激光沉積也被稱為脈沖激光燒蝕（pulsed laser ablation，PLA），是一種利用激光對物體進行轟擊，然后將轟擊出來的物質沉淀在不同的襯底上，得到沉淀或者薄膜的一種手段。

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脈沖激光沉積的應用領域

沈陽鵬程真空技術有限責任公司專業(yè)生產(chǎn)、銷售脈沖激光沉積，以下信息由沈陽鵬程真空技術有限責任公司為您提供。

脈沖激光沉積技術適合做的薄膜包括各種多元氧化物，氮化物，硫化物薄膜，金屬薄膜，磁性材料等。

應用領域：

單晶薄膜外延（SrTiO3，LaAlO3）

壓電薄膜（PZT，AlN，BiFeO3，BaTiO3）

鐵電薄膜（BaTiO3，KH2PO4）

熱電薄膜（SrTiO3）

金屬和化合物薄膜電極（Ti，Ag，Au，Pt，Ni，Co，SrRuO3，LaNiO3，YZrO2，GdCeO2，LaSrCoFeO3）

半導體薄膜（Zn(Mg)O，AlN，SrTiO3）

高K介質薄膜（HfO2，CeO2，Al2O3，BaTiO3，SrTiO3，PbZrTiO3，LaAlO3，Ta2O5）

超導薄膜（YBa2CuO7-x，BiSrCaCuO）

光波導，光學薄膜（PZT，AlN，BaTiO3，Al2O3，ZrO2，TiO2）

超疏水薄膜（PTFE）

紅外探測薄膜（V2O5，PZT）

脈沖激光沉積選件介紹

激光分子束外延(Laser MBE )

激光MBE 是普遍采用的術語，該法是一種納米尺度薄膜合成的理想方法，高真空下的PLD 與在線工藝監(jiān)測的反射高能電子衍射（RHEED）的聯(lián)合應用，用戶提供了類似于MBE 的薄膜生長的單分子水平控制。

正確的設計是成功使用RHEED 和PLD 的重要因數(shù)

RHEED 通常在高真空（<10-6 torr）環(huán)境下使用。然而，因為在某些特殊情況下，PLD 采用較高的壓力，差動抽氣是必要的，

維持RHEED 槍的工作壓力，同時保持500 mTorr 的PLD 工藝壓力。同時，設計完整的系統(tǒng)消除磁場對電子束的影響是至關重要的。Neocera 的激光MBE 系統(tǒng)可以為用戶提供在壓力達到500 mTorr 時所需的單分子層控制。

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