方箱PECVD簡介

該系統(tǒng)為單室薄膜太陽電池等離子增強化學氣相沉積（PECVD）工藝研發(fā)設備，用來在硅片上沉積SiOx、SiNx、非晶硅、多晶硅、碳材料等薄膜，鍍膜樣品為156×156mm基片（并向下兼容）。

設備概述：

1.系統(tǒng)采用單室方箱式結構，手動前開門；

2.真空室:尺寸為350mm×350×280mm；

3.極限真空度：≤6.67x10-4 Pa (經(jīng)烘烤除氣后，采用分子泵抽氣)；

系統(tǒng)真空檢漏漏率：≤5.0x10-7Pa.l/S； 系統(tǒng)從大氣開始抽氣到5.0x10-3 Pa，35分鐘可達到

（采用分子泵抽氣，分子泵不配，預留分子泵接口)； 停泵關機12小時后真空度：≤5 Pa（采用分子

泵抽氣，分子泵不配，預留分子泵接口)；

4.采用樣品在下，噴淋頭在上噴淋式進氣方式；

5.樣品加熱加熱溫度：300℃，溫控精度：±1°C，采用日本進口控溫表進行控溫；

6.噴淋頭尺寸：200×200mm，噴淋頭與樣品之間電極間距20-80mm連續(xù)可調(diào)；

7. 沉積工作真空：13-1300Pa；

8.氣路設有勻氣系統(tǒng)，真空室內(nèi)設有保證抽氣均勻性抽氣裝置；

9.射頻電源：頻率 13.56MHz，功率500W，全自動匹配；

10.SiH4、NH3、CO2、N2、H2、PH3、B2H6、七路氣體，共計使用7個質(zhì)量流量控制器控制進氣。

11. 系統(tǒng)設有尾氣處理系統(tǒng)(高溫裂解方式)。

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等離子體化學氣相沉積原理及特點

原理是在高頻或直流電場作用下，源氣體電離形成等離子體，基體浸沒在等離子體中或放置在等離子體下方，吸附在基體表面的反應粒子受高能電子轟擊，結合鍵斷裂成為活性粒子，化學反應生成固態(tài)膜。沉積時，基體可加熱，亦可不加熱。工藝過程包括氣體放電、等離子體輸運，氣態(tài)物質(zhì)激發(fā)及化學反應等。主要工藝參數(shù)有：放電功率、基體溫度、反應壓力及源氣體成分。等離子刻蝕機的典型應用包括：等離子體清除浮渣光阻材料剝離表面處理各向異性和各向同性失效分析應用等離子刻蝕反應材料改性包裝清洗鈍化層蝕刻聚亞酰胺蝕刻增強粘接力生物醫(yī)學應用聚合反應混合物清洗預結合清洗。主要特點是可顯著降低反應溫度，已用于多種薄膜材料的制備。

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