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發(fā)布時(shí)間:2020-12-18 20:04  






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檢測(cè)方法/電子元器件

電解電容器的檢測(cè)

將萬(wàn)用表紅表筆接負(fù)極,黑表筆接正極,在剛接觸的瞬間,萬(wàn)用表指針即向右偏轉(zhuǎn)較大偏度(對(duì)于同一電阻擋,容量越大,擺幅越大),接著逐漸向左回轉(zhuǎn),直到停在某一位置。此時(shí)的阻值便是電解電容的正向漏電阻,此值略大于反向漏電阻。BGA技術(shù)的出現(xiàn)是IC器件從四邊引線封裝到陣列焊點(diǎn)封裝的一大進(jìn)步,它實(shí)現(xiàn)了器件更小、引線更多,以及優(yōu)良的電性能,另外還有一些超過(guò)常規(guī)組裝技術(shù)的性能優(yōu)勢(shì)。實(shí)際使用經(jīng)驗(yàn)表明,電解電容的漏電阻一般應(yīng)在幾百kΩ以上,否則,將不能正常工作。在測(cè)試中,若正向、反向均無(wú)充電的現(xiàn)象,即表針不動(dòng),則說(shuō)明容量消失或內(nèi)部斷路;如果所測(cè)阻值很小或?yàn)榱?,說(shuō)明電容漏電大或已擊穿損壞,不能再使用。



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BGA封裝出現(xiàn)于90年代初期,現(xiàn)已發(fā)展成為一項(xiàng)成熟的高密度封裝技術(shù)。在半導(dǎo)體IC的所有封裝類型中,1996~2001年這5年期間,BGA封裝的增長(zhǎng)速度快。二是低阻值電阻損壞時(shí)往往是燒焦發(fā)黑,很容易發(fā)現(xiàn),而高阻值電阻損壞時(shí)很少有痕跡。在1999年,BGA的產(chǎn)量約為10億只。但是,到目前為止,該技術(shù)于高密度、器件的封裝,而且該技術(shù)仍朝著細(xì)節(jié)距、高I/O端數(shù)方向發(fā)展。BGA封裝技術(shù)主要適用于PC芯片組、微處理器/控制器、ASIC、門陣、存儲(chǔ)器、DSP、PDA、PLD等器件的封裝。


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由于BGA器件相對(duì)而言其間距較大,它在再流焊接過(guò)程中具有自動(dòng)排列定位的能力,所以它比相類似的其它元器件,例如QFP,操作便捷,在組裝時(shí)具有高可靠性。檢測(cè)方法/電子元器件電解電容器的檢測(cè)對(duì)于正、負(fù)極標(biāo)志不明的電解電容器,可利用上述測(cè)量漏電阻的方法加以判別。據(jù)國(guó)外一些印刷電路板制造技術(shù)資料反映,BGA器件在使用常規(guī)的SMT工藝規(guī)程和設(shè)備進(jìn)行組裝生產(chǎn)時(shí),能夠始終如一地實(shí)現(xiàn)缺陷率小于20(PPM),而與之相對(duì)應(yīng)的器件,例如QFP,在組裝過(guò)程中所形成的產(chǎn)品缺陷率至少要超過(guò)其10倍。


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