在負載RL中有電流流過，其電流大小取決于光電靶在該單元的電阻值大小。光照強處對應(yīng)阻值較小，流過負載RL的電流就較大，因而RL兩端產(chǎn)生的壓降也就較大。負載電阻RL上形成電壓就是攝像管輸出的圖像信號。2、光電二極管光電二極管的管芯也是一個PN結(jié),只是結(jié)面積比普通二極管大,便于接收光線。光電轉(zhuǎn)換過程（圖像的攝取過程）：被攝景物通過攝像機的光學鏡頭在光電靶上成像，被電子束將這幅圖像分解為像素，同時把各個像素的亮度轉(zhuǎn)變?yōu)樵谪撦d電阻RL上大小不同的電壓降，從而形成攝像管輸出信號。

通過PN結(jié)將太陽能轉(zhuǎn)換為電能。太陽能電池對光電轉(zhuǎn)換材料的要求是轉(zhuǎn)換、能制成大面積的器件，以便更好地吸收太陽光。已使用的光電轉(zhuǎn)換材料以單晶硅、多晶硅和非晶硅為主。用單晶硅制作的太陽能電池，轉(zhuǎn)換達20%，但其成本高，主要用于空間技術(shù)。隨著光生電子在N型區(qū)的積累及光生空穴在P型號區(qū)的積累，會在在PN對的兩側(cè)產(chǎn)生一個穩(wěn)定的電位差，這就是光生電動勢。多晶硅薄片制成的太陽能電池，雖然光電轉(zhuǎn)換效率不高（約10%），但價格低廉，已獲得大量應(yīng)用。此外，化合物半導體材料、非晶硅薄膜作為光電轉(zhuǎn)換材料，也得到研究和應(yīng)用。

發(fā)光二極管的發(fā)光顏色(波長)，困半導體材料及摻雜成分不同而不同。常用的有黃、綠、紅等顏色的發(fā)光二極管。發(fā)光二極管工作電壓很低(1 5-3伏),工作電流很小(10-30毫安),耗電極省?？勺鳠艄庑盘栵@示、快速光源,也呆同時起整流和發(fā)光兩種作用。多晶硅薄片制成的太陽能電池，雖然光電轉(zhuǎn)換效率不高（約10%），但價格低廉，已獲得大量應(yīng)用。2、發(fā)光數(shù)字管把磷化發(fā)光管或磷化發(fā)光管的管芯制成條狀,用七條發(fā)光管組成七段式數(shù)字顯示管，可以顯示從0到9的十個數(shù)字。這種半導體數(shù)字顯示管的優(yōu)點是體積小、耗電省、壽命長、響應(yīng)速度快。

如果入射光強度太高，導致器件內(nèi)電流太大，以至于電陰極和倍增極因發(fā)射二分解，就會造成光電倍增管的永1久性波壞。因此，使用光電倍增管時，應(yīng)避免強光直接入射。光電倍增管一般用來測弱光信號。光電池是把光能直接變成電能的器件，可作為能源器件使用，如衛(wèi)1星上使用的太陽能電池。二、光伏打器件----硅光電池半導體PN結(jié)在受到光照射時能產(chǎn)生電動勢的效應(yīng)，叫光伏打效應(yīng)。它也可作為光電子探測器件。光電二極管有耗盡層光電二極管和雪崩光電二極管兩種。半導體pn結(jié)區(qū)附近成為耗盡層，該層的兩側(cè)是相對高的空間電荷區(qū)，而耗盡層內(nèi)通常情況下并不存在電子和空穴。