MOSFET為什么要驅(qū)動電路

現(xiàn)在市面上實際應用的多是平面工藝的MOSFET，在開關電源等領域應用非常普遍，一般作為百開關管使用。在IGBT導通后的大部分集電極電流范圍內(nèi)，IC與VGE呈線性關系。實際的MOSFET有別于理想的MOSFET，柵極和源度極，源極和漏極都是存在電容的，要用合適的驅(qū)動電路才能使MOS管工作在低導通損耗的開關狀態(tài)。比如600V的MOS管多用8-12V的柵極電壓驅(qū)動，并且要求一定的驅(qū)動能力。

也可以內(nèi)用示波器看MOS管的波形，看是否工作在完全導通狀態(tài)，上升和下降時間在輻射容滿足要求的情況下，盡量的陡峭。

igbt驅(qū)動電路的簡介

IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

圖1所示為一個N 溝道增強型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu)， N 區(qū)稱為源區(qū)，附于其上的電極稱為源極。(5)驅(qū)動電路應具有較強的抗干擾能力及對IG2BT的保護功能。N 區(qū)稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū)，附于其上的電極稱為柵極。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。在漏、源之間的P 型區(qū)（包括P 和P 一區(qū)）（溝道在該區(qū)域形成），稱為亞溝道區(qū)（ Subchannel region ）。而在漏區(qū)另一側(cè)的P 區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)（ Drain injector ），它是IGBT 特有的功能區(qū)，與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP 雙極晶體管，起發(fā)射極的作用，向漏極注入空穴，進行導電調(diào)制，以降低器件的通態(tài)電壓。附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱為漏極。

IGBT的開關作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給PNP 晶體管提供基極電流，使IGBT 導通。MOSFET的柵極輸入電阻無限大對于電路設計工程師而言亦有其他優(yōu)點，例如較不需考慮邏輯門輸出端的負載效應（loadingeffect）。反之，加反向門極電壓消除溝道，切斷基極電流，使IGBT 關斷。IGBT 的驅(qū)動方法和MOSFET 基本相同，只需控制輸入極N一溝道MOSFET ，所以具有高輸入阻抗特性。當MOSFET 的溝道形成后，從P 基極注入到N 一層的空穴（少子），對N 一層進行電導調(diào)制，減小N 一層的電阻，使IGBT 在高電壓時，也具有低的通態(tài)電壓。

LED燈的“電源”和“驅(qū)動電源”有什么區(qū)別？

概括地說,LED驅(qū)動也是開關電源的一種,只是它有幾點特殊性,也是這類開關電源的共性,所以習慣上把它分類稱為LED驅(qū)動了.這幾點特殊性是:

1、它的電壓輸出是3.2的倍數(shù),就是說電壓輸出的形式為3.2V、6.4V.9.6V、12.8V.ram中的數(shù)據(jù)可被read，write和read—modify—write命令存取。....,但一般不超過25.6V,因為超過這個數(shù)后,在開啟LED的時候,會因產(chǎn)品的一至性不好而發(fā)生瞬間燒掉后導通的那只LED的可能性.而這個電壓也不是恒定的,而是隨負載的變化而變化,以達到恒流的目的.

2、它的輸出電流是恒定的,理想的電路是無論LED的特性曲線怎么變化,驅(qū)動電源的電流保持不變.但限于元件精度,還是會有少量的變化的,而這個變化也是判斷驅(qū)動電路是否的重要參數(shù),LED的導通與電壓的函數(shù)是一個非線性的“三段”關系,所以保持恒流非常重要.

3、它的啟動是軟啟動.由于LED的一致性非常差,并且在導通時內(nèi)部PN結(jié)的活性發(fā)生瞬間變化,所以LED的驅(qū)動一般設計為軟啟動,來避開這個缺陷.

4、它的電路要求,因為很多時候,要求電路裝在一個很小的空間里,以配合LED照明的方便性,所以電路應盡可能的簡單,這樣也能節(jié)約成本、減少能耗.

5、它一般不要求隔離,因為很多產(chǎn)品是類似于普通照明燈一樣的結(jié)構(gòu),安全方面可與照明燈相仿就是,但這第5條是一個“選讀項”,大家在了解的時候不要有誤解,因為有的驅(qū)動還是需要隔離的,這個特點只適用于我們目前流行的電路,而不一定適合以后的電路發(fā)展需要.

綜上所述,可以認為:軟啟動、恒流、階躍電壓、電路簡單是它的特點.