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發(fā)布時(shí)間:2021-04-27 19:50  






數(shù)字ic后端設(shè)計(jì)(二)

4.時(shí)鐘樹生成(CTS Clock tree synthesis) 。

芯片中的時(shí)鐘網(wǎng)絡(luò)要驅(qū)動電路中所有的時(shí)序單元,所以時(shí)鐘源端門單元帶載很多,其負(fù)載很大并且不平衡,需要插入緩沖器減小負(fù)載和平衡。時(shí)鐘網(wǎng)絡(luò)及其上的緩沖器構(gòu)成了時(shí)鐘樹。一般要反復(fù)幾次才可以做出一個(gè)比較理想的時(shí)鐘樹。---Clock skew.

5. STA 靜態(tài)時(shí)序分析和后。

時(shí)鐘樹插入后,每個(gè)單元的位置都確定下來了,工具可以提出GlobalRoute形式的連線寄生參數(shù),此時(shí)對參數(shù)的提取就比較準(zhǔn)確了。SE把.V和.SDF文件傳遞給PrimeTime做靜態(tài)時(shí)序分析。供給層面:先進(jìn)制程對于模擬類產(chǎn)品推動作用較小,基本不受摩爾定律推動,因此模擬類產(chǎn)品性能更新迭代較慢。確認(rèn)沒有時(shí)序違規(guī)后,將這來兩個(gè)文件傳遞給前端人員做后。對Astro 而言,在detail routing 之后,

用starRC XT 參數(shù)提取,生成的E.V和.SDF文件傳遞給PrimeTime做靜態(tài)時(shí)序分析,那將會更準(zhǔn)確。

6. ECO(Engineering Change Order)。

針對靜態(tài)時(shí)序分析和后中出現(xiàn)的問題,對電路和單元布局進(jìn)行小范圍的改動.




7. Filler的插入(pad fliier, cell filler)。

Filler指的是標(biāo)準(zhǔn)單元庫和I/O Pad庫中定義的與邏輯無關(guān)的填充物,用來填充標(biāo)準(zhǔn)單元和標(biāo)準(zhǔn)單元之間,I/O Pad和I/O Pad之間的間隙,它主要是把擴(kuò)散層連接起來,滿足DRC規(guī)則和設(shè)計(jì)需要。

8. 布線(Routing)。

Global route-- Track assign --Detail routing--Routing optimization布線是指在滿足工藝規(guī)則和布線層數(shù)限制、線寬、線間距限制和各線網(wǎng)可靠絕緣的電性能約束的條件下,根據(jù)電路的連接關(guān)系將各單元和I/OPad用互連線連接起來,這些是在時(shí)序驅(qū)動(Timing driven )的條件下進(jìn)行的,保證關(guān)鍵時(shí)序路徑上的連線長度能夠。不同數(shù)字器件有不同的制程,所以需要不同的供電電壓,因此更需要電源管理這一模擬技術(shù),隨著數(shù)字技術(shù)的發(fā)展,模擬技術(shù)分布于數(shù)字技術(shù)周邊,與數(shù)字技術(shù)密不可分。--Timing report clear



IC產(chǎn)品的溫馨提示

提示:濕度總是困擾在電子系統(tǒng)背后的一個(gè)難題。不管是在空氣流通的熱帶區(qū)域中,還是在潮濕的區(qū)域中運(yùn)輸,潮濕都是顯著增加電子工業(yè)開支的原因。在IC生產(chǎn)流程中,IC多由專業(yè)IC設(shè)計(jì)公司進(jìn)行規(guī)劃、設(shè)計(jì),像是聯(lián)發(fā)科、高通、Intel等大廠,都自行設(shè)計(jì)各自的IC芯片,提供不同規(guī)格、效能的芯片給下游廠商選擇。由于潮濕敏感性元件使用的增加,諸如薄的密間距元件(fine-pitch device)和球柵陣列(BGA, ballgrid array)使得對這個(gè)失效機(jī)制的關(guān)注也增加了。基于此原因,電子制造商們必須為預(yù)防潛在災(zāi)難支付高昂的開支。

吸收到內(nèi)部的潮氣是半導(dǎo)體封裝問題。當(dāng)其固定到PCB 板上時(shí),回流焊快速加熱將在內(nèi)部形成壓力。PowerCompiler嵌入DesignCompiler/PhysicalCompiler之上,是業(yè)界可以同時(shí)優(yōu)化時(shí)序、功耗和面積的綜合工具。這種高速膨脹,取決于不同封裝結(jié)構(gòu)材料的熱膨脹系數(shù)(CTE)速率不同,可能產(chǎn)生封裝所不能承受的壓力。當(dāng)元件暴露在回流焊接期間升高的溫度環(huán)境下,陷于塑料的表面貼裝元內(nèi)部的潮濕會產(chǎn)生足夠的蒸汽壓力損傷或毀壞元件。




常見的失效模式包括塑料從芯片或引腳框上的內(nèi)部分離(脫層)、金線焊接損傷、芯片損傷、和不會延伸到元件表面的內(nèi)部裂紋等。在一些極端的情況中,裂紋會延伸到元件的表面;嚴(yán)重的情況就是元件鼓脹和爆裂(叫做“爆米花”效益)。盡管現(xiàn)在,進(jìn)行回流焊操作時(shí),在180℃ ~200℃時(shí)少量的濕度是可以接受的。1二-十轉(zhuǎn)換將二進(jìn)制數(shù)的第N位數(shù)值乘以第N位的權(quán)重,其中第N位的權(quán)重為2?(注:m位二進(jìn)制數(shù)從右向左分別記為第0,1,。然而,在230℃ ~260℃的范圍中的無鉛工藝?yán)?,任何濕度的存在都能夠形成足夠?qū)е缕茐姆庋b的?。ū谆睿┗虿牧戏謱?。

必須進(jìn)行明智的封裝材料選擇、仔細(xì)控制的組裝環(huán)境和在運(yùn)輸中采用密封包裝及放置干燥劑等措施。第0位是1,它的權(quán)重是2?,相乘為1×2?,后將每一位的乘積按十進(jìn)制運(yùn)算相加。實(shí)際上國外經(jīng)常使用裝備有射頻標(biāo)簽的濕度跟蹤系統(tǒng)、局部控制單元和專用軟件來顯示封裝、測試流水線、運(yùn)輸/操作及組裝操作中的濕度控制。②THB: 加速式溫濕度及偏壓測試(Temperature Humidity Bias Test )

目的: 評估IC產(chǎn)品在高溫,高濕,偏壓條件下對濕氣的抵抗能力,加速其失效進(jìn)程測試條件: 85℃,85%RH, 1.1 VCC, Static bias


數(shù)字IC管腳狀態(tài)

根據(jù)CMOS數(shù)字IC管腳間的等效結(jié)構(gòu),給出了無偏置時(shí)任意兩管腳之間的電壓;其次,探討了地開路時(shí)的輸出管腳的狀態(tài);然后,提取了電源浮空時(shí)的等效電路;后,利用所提取的等效電路,對二極管結(jié)構(gòu)電源浮空電位和浮阱結(jié)構(gòu)電源浮空電位進(jìn)行了計(jì)算。




深圳瑞泰威科技有限公司是國內(nèi)IC電子元器件的代理銷售企業(yè),專業(yè)從事各類驅(qū)動IC、存儲IC、傳感器IC、觸摸IC銷售,品類齊全,具備上百個(gè)型號。與國內(nèi)外的東芝、恩智浦、安森美、全宇昕、上海晶準(zhǔn)等均穩(wěn)定合作,保證產(chǎn)品的品質(zhì)和穩(wěn)定供貨。DFTCompiler可以使設(shè)計(jì)者在設(shè)計(jì)流程的前期,很快而且方便的實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量的測試分析,確保時(shí)序要求和測試覆蓋率要求同時(shí)得到滿足。自公司成立以來,飛速發(fā)展,產(chǎn)品已涵蓋了工控類IC、光通信類IC、無線通信IC、消費(fèi)類IC等行業(yè)。


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