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擴(kuò)散傳感器
被測(cè)介質(zhì)的壓力直接作用于傳感器的膜片上(不銹鋼或陶瓷),使膜片產(chǎn)生與TBP-1擴(kuò)散硅無(wú)腔壓力傳感器介質(zhì)壓力成正比的微位移,使傳感器的電阻值發(fā)生變化,和用電子線路檢測(cè)這一變化,并轉(zhuǎn)換輸出一個(gè)對(duì)應(yīng)于這一壓力的標(biāo)準(zhǔn)測(cè)量信號(hào)。
擴(kuò)散硅線路板均采用新型放大電路,選用國(guó)外進(jìn)口芯片元件,較其他同類產(chǎn)品具有更高的精度和穩(wěn)定性,是為各類橋接傳感器配套的專用變送電路,適配擴(kuò)散硅、陶瓷壓組、應(yīng)變片等多種壓力傳感器。可與專用壓力變送器殼體組成一體化壓力變送器,也可單獨(dú)安裝使用。
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擴(kuò)散硅壓力變送器
擴(kuò)散硅壓力變送器具有工作可靠、性能穩(wěn)定、安裝使用方便、體積小、重量輕、性能價(jià)格比高等點(diǎn),能在各種正負(fù)壓力測(cè)量中得到廣泛應(yīng)用。擴(kuò)散硅壓力變送器采用進(jìn)口擴(kuò)散硅或陶瓷芯體作為壓力檢測(cè)元件,傳感器信號(hào)經(jīng)電子放大器轉(zhuǎn)換成0-10mA或4-20mA統(tǒng)一輸出信號(hào)。壓力變送器可替代傳統(tǒng)的遠(yuǎn)傳壓力表,霍爾元件、差動(dòng)變送器,并具有DDZ-Ⅱ及DDZ-Ⅲ型變送器性能。
擴(kuò)散硅壓力傳感器的基本原理
壓力傳感器的制造中一般利用集成電路平面工藝,用雜志擴(kuò)散或離子注入的方法形成電阻器。擴(kuò)散層被用來(lái)作為應(yīng)力或應(yīng)變敏感的電阻器,電流邊與擴(kuò)散層被用來(lái)作為應(yīng)力或應(yīng)變敏感的電阻器,電流便與擴(kuò)散層表面平行流過(guò)電阻器。在壓力傳感器的設(shè)計(jì)。制造時(shí),需要了解不同溫度下硅擴(kuò)散層的壓阻特性,選擇合適的擴(kuò)散條件,選用一定型號(hào)、晶向的擴(kuò)散電阻以獲得較高的靈敏度和曉得靈敏度系數(shù),力求使壓力傳感器有良好的性能。
擴(kuò)散層的平均壓阻系數(shù):擴(kuò)散層中雜質(zhì)往往呈誤差函數(shù)(恒定表面源條件下)或余誤差函數(shù)(恒定表面濃度條件)分布。也就是說(shuō),表面雜質(zhì)濃度高,電流便呈現(xiàn)不均勻分布。雖然應(yīng)力在電阻的縱剖面是均勻分布的,而壓阻系數(shù)取決于雜質(zhì)濃度。以此在擴(kuò)散層上電阻的改變的百分量是不同的。這又使擴(kuò)散層中電流在縱向中心分布并造成壓阻值和應(yīng)力之間的非線性。
擴(kuò)散層硅的電阻溫度特性與壓力傳感器的熱零點(diǎn)漂移以及熱靈敏度有密切的關(guān)系。