金屬蝕刻標牌

通常所指蝕刻也稱光化學蝕刻（photochemical etching），指通過曝光制版、顯影后，將要蝕刻區(qū)域的保護膜去除，在蝕刻時接觸化學溶液，達到溶解腐蝕的作用，形成凹凸或者鏤空成型的效果。

最早可用來制造銅版、鋅版等印刷凹凸版，也廣泛地被使用于減輕重量(Weight Reduction)儀器鑲板，銘牌及傳統(tǒng)加工法難以加工之薄形工件等的加工；3、試刻這臺精細搖晃蝕刻機傳送帶可以無級調速，沖刷工夫的長短可以在這里進行調整。經過不斷改良和工藝設備發(fā)展，亦可以用于航空、機械、化學工業(yè)中電子薄片零件精密蝕刻產品的加工，特別在半導體制程上，蝕刻更是不可或缺的技術。

2.2 制好網(wǎng)印版 用 300 目滌綸絲網(wǎng)制版，性要好，殘膠要徹底沖凈且沒有眼與斷線。 2.3 選好網(wǎng)印油墨 選用耐酸、耐堿、耐溫、遮蓋力強的金屬網(wǎng)印墨，本公司選用 日本精工 1300＃油墨。 2.4 精細網(wǎng)印徹底烘干

選用硬度中偏低膠刮復墨網(wǎng)印，達到墨層厚而均勻，沒有斷線 與眼，印完一色烘一色（100℃，10 分鐘），后一次印完在烘 干 150℃，1.5 小時。 2.5 鍍前除油 （加溫至 60℃） 泡浸 5－10 秒除油， 烘干后要放在常溫除油劑中 然后清洗檢查無印處是否全部親水。未達要求，可用尼龍刷子刷洗， 達到親水為止。突破性的蝕刻技術實現(xiàn)原子級的蝕刻精準性，從而推動摩爾定律發(fā)展。

負載（Loading）-- 蝕刻速率依賴于可蝕刻表面數(shù)量，可在宏觀或微觀尺寸下。 縱橫比決定蝕刻（Aspect Ratio Dependent Etching/ARDE）--蝕刻速率決定于縱橫比。 終點（Endpoint）-- 在一個蝕刻過程中，平均膜厚被蝕刻干凈時的時間點。 光刻膠（Photo-resist）-- 作為掩膜用來圖形轉移的光敏材料。 分辨率（Resolution）-- 用于測試光學系統(tǒng)把相鄰的目標形成分離圖像的能力。 焦深 (Depth of focus) – 在焦平面上目標能形成影像的縱向距。 關鍵尺寸（Critical dimensi-CD）-- 一個特征圖形的尺寸，包括線寬、間隙、或者 關聯(lián)尺寸。材質：不銹鋼蝕刻標牌顧名思義使用的材料是不銹鋼，因其外觀呈光亮的微灰色或銀白色。