不少低密度、的金屬基復合材料非常適合航空、航天用途。金屬基復合材料的基體材料有很多種，但作為熱匹配復合材料用于封裝的主要是Cu基和燦基復合材料。金屬表面處理編程囊括了加工的工序設定、刀具選擇，轉速設定，刀具每次進給的距離等等。金屬封裝外殼壓鑄的原則就是不浪費，節(jié)省時間和成本，但是不利于后期的陽極氧化工藝，還可能留下沙孔流痕等等影響質量和外觀的小問題，當然，廠商們都有一個良品率的概念，靠譜的廠商是不會讓這些次品流入到后面的生產(chǎn)環(huán)節(jié)中去的。銅、鋁純銅也稱之為無氧高導銅(OFHC)，電阻率1．72μΩ·cm，僅次于銀。它的熱導率為401W(m-1K-1)，從傳熱的角度看，作為封裝殼體是非常理想的，可以使用在需要高熱導和／或高電導的封裝里，然而，它的CTE高達16．5×10-6K-1，可以在剛性粘接的陶瓷基板上造成很大的熱應力。

 金屬表面處理CNC加工開始前，首先需要建模與編程。與銅復合的材料沿碳纖維長度方向CTE為-0．5×10-6K-1，熱導率600-750W(m-1K-1)，而垂直于碳纖維長度方向的CTE為8×10-6K-1,熱導率為51-59W(m-1K-1)，比沿纖維長度方向的熱導率至少低一個數(shù)量級。3D建模的難度由產(chǎn)品結構決定，結構復雜的產(chǎn)品建模較難，需要編程的工序也更多、更復雜。雖然設計者可以采用類似銅的辦法解決這個問題，但銅、鋁與芯片、基板嚴重的熱失配，給封裝的熱設計帶來很大困難，影響了它們的廣泛使用。1．2 鎢、鉬Mo的CTE為5．35×10-6K-1，與可伐和Al2O3非常匹配，它的熱導率相當高，為138 W(m-K-1)，故常作為氣密封裝的底座與可伐的側墻焊接在一起，用在很多中、高功率密度的金屬封裝中 這些材料不僅包括金屬封裝的殼體或底座、引線使用的金屬材料，也包括可用于各種封裝的基板、熱沉和散熱片的金屬材料，為適應電子封裝發(fā)展的要求，國內(nèi)開展對金屬基復合材料的研究和使用將是非常重要的。

雖然金屬表面處理設計師銅類似的方法可以被采用以解決這個問題，但銅和鋁的芯片，所述襯底的嚴重的熱失配，所述封裝的熱設計了很大的困難影響它們的廣泛使用。 1.2鎢，鉬（Mo）具有5.35×10-6K-1的CTE，和鐵鎳鈷合金和Al2O3匹配時，它的熱導率非常高，為138 W（MK-1），正如經(jīng)常氣密封裝基座和側壁焊接在一起可伐，在許多包所使用的金屬，所述高功率密度 的Cu / W和Cu /沫以減少銅CTE可以更小和銅的材料例如Mo，W等的CTE值的復合物，以得到銅/ W和Cu /鉬金屬 - 金屬復合材料。美國Sencitron企業(yè)在TO-254氣密性金屬封裝中應用陶瓷絕緣子與Glidcop導線封接。這些材料具有高的導電性，導熱性，同時整合鎢，鉬的低CTE，高硬度特性。的Cu / W和Cu /沫CTE可以根據(jù)組分的相對含量的變化進行調(diào)整，可以用作封裝基座，散熱器也可以用作散熱片。 形式的金屬包裝，加工柔性的，和特定組件（例如，混合集成A / d或d / A轉換器）為一體的，對于低I / O芯片和多用途單芯片的數(shù)量，但也它適用于RF，微波，光，聲表面波器件和高功率，小批量滿足高可靠性要求。

金屬表面處理的殼體或底座、引線使用的金屬材料，也包括可用于各種封裝的基板、熱沉和散熱片的金屬材料，為適應電子封裝發(fā)展的要求，國內(nèi)開展對金屬基復合材料的研究和使用將是非常重要的。材料工作者在這些材料基礎上研究和開發(fā)了很多種金屬基復合材料(MMC)，它們是以金屬(如Mg、Al、Cu、Ti)或金屬間化合物(如TiAl、NiAl)為基體，以顆粒、晶須、短纖維或連續(xù)纖維為增強體的一種復合材料。金屬表面處理的殼體或底座、引線使用的金屬材料，也包括可用于各種封裝的基板、熱沉和散熱片的金屬材料，為適應電子封裝發(fā)展的要求，國內(nèi)開展對金屬基復合材料的研究和使用將是非常重要的。非常好的導熱性，提供熱耗散；③非常好的導電性，減少傳輸延遲；④良好的EMI／RFI屏蔽能力； ⑤較低的密度，足夠的強度和硬度，良好的加工或成形性能；⑥可鍍覆性、可焊性和耐蝕性，以實現(xiàn)與芯片、蓋板、印制板的可靠結合、密封和環(huán)境的保護；⑦較低的成本。傳統(tǒng)金屬封裝材料包括Al、Cu、Mo、W、鋼、可伐合金以及Cu／W和Cu／Mo等