電阻熱蒸發(fā)鍍膜——“蒸發(fā)技術(shù)”介紹

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蒸發(fā)技術(shù)分為間歇蒸發(fā)與連續(xù)蒸發(fā)、直接電阻加熱蒸發(fā)和間接電阻加熱蒸發(fā),連續(xù)生產(chǎn)與制造厚膜時采用連續(xù)蒸發(fā)加熱。一個入射的蒸氣原子在表面的滯留時間中,原子不斷地擴散形成不均勻的成核作用，隨著蒸氣原子不斷地沖擊表面,各個核都在增長，相鄰各核開始接觸進入聚結(jié)階段，直到形成連續(xù)膜。如需了解更多電阻熱蒸發(fā)鍍膜產(chǎn)品的相關(guān)信息，歡迎關(guān)注沈陽鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司網(wǎng)站或撥打圖片上的熱點電話，我司會為您提供專業(yè)、周到的服務(wù)。也可把上述過程劃分為小島階段、網(wǎng)絡(luò)階段、孔階段及連續(xù)膜階段。

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鈣鈦礦鍍膜設(shè)備

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設(shè)備用途 ：

適用于制備金屬單質(zhì)薄膜、半導(dǎo)體薄膜、氧化物薄膜、有機薄膜等，可用于科研單位進行新材料、新工藝薄膜研究工作，也可用于大批量生產(chǎn)前的試驗工作。廣泛應(yīng)用于有機、無機、鈣鈦礦薄膜太陽能電池、OLED等研究領(lǐng)域

設(shè)備組成：

該設(shè)備主要由沉積室、真空排氣系統(tǒng)、真空測量、蒸發(fā)源、樣品加熱、電控系統(tǒng)、等部分組成。

      1、鍍膜室：方形前后開門結(jié)構(gòu)，內(nèi)帶有防污板。

      2、真空度：鍍膜室的極限真空≤5×10-5Pa；

      3、蒸發(fā)源系統(tǒng)：有機源蒸發(fā)源4個，無機蒸發(fā)源2套

      4、樣品架系統(tǒng)：樣品大小為Φ150mm的樣品，旋轉(zhuǎn)速度為：0～30轉(zhuǎn)/分；

      5、樣品在鍍膜過程中，可烘烤加熱，加熱溫度為：室溫～190℃，測溫控溫。

      6、膜厚控制儀：測量范圍0-999999?

鈣鈦礦鍍膜機的特點有哪些？

1、樣品位于真空室上方，蒸發(fā)源位于真空室下方，向上蒸發(fā)鍍膜，且蒸發(fā)源帶有擋板裝置。

2、設(shè)有烘烤加熱功能，可在鍍膜過程中加熱樣品，烘烤加熱溫度為≤180℃。

3、設(shè)有斷水、斷電連鎖保護報警裝置及防誤操作保護報警裝置。

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