數(shù)字ic后端設(shè)計(jì)(一)

1. 數(shù)據(jù)準(zhǔn)備。

　　對(duì)于 CDN 的 Silicon Ensemble而言后端設(shè)計(jì)所需的數(shù)據(jù)主要有是Foundry廠提供的標(biāo)準(zhǔn)單元、宏單元和I/O Pad的庫文件，它包括物理庫、時(shí)序庫及網(wǎng)表庫，分別以.lef、.tlf和.v的形式給出。前端的芯片設(shè)計(jì)經(jīng)過綜合后生成的門級(jí)網(wǎng)表，具有時(shí)序約束和時(shí)鐘定義的腳本文件和由此產(chǎn)生的.gcf約束文件以及定義電源Pad的DEF（DesignExchange Format）文件。一般來說，綜合完成后需要再次做驗(yàn)證（這個(gè)也稱為后）邏輯綜合工具：Synopsys的DesignCompiler，工具選擇上面的三種工具均可。(對(duì)synopsys 的Astro 而言，經(jīng)過綜合后生成的門級(jí)網(wǎng)表，時(shí)序約束文件 SDC是一樣的,Pad的定義文件--tdf ， .tf 文件 --technology file， Foundry廠提供的標(biāo)準(zhǔn)單元、宏單元和I/OPad的庫文件就與FRAM, CELL view, LM view 形式給出(Milkway 參考庫 and DB, LIB file)

　　2. 布局規(guī)劃。

　　主要是標(biāo)準(zhǔn)單元、I/O Pad和宏單元的布局。I/OPad預(yù)先給出了位置，而宏單元?jiǎng)t根據(jù)時(shí)序要求進(jìn)行擺放，標(biāo)準(zhǔn)單元?jiǎng)t是給出了一定的區(qū)域由工具自動(dòng)擺放。布局規(guī)劃后，芯片的大小，Core的面積，Row的形式、電源及地線的Ring和Strip都確定下來了。EM(electronmigration，電子遷移)“電子遷移”是50年代在微電子科學(xué)領(lǐng)域發(fā)現(xiàn)的一種從屬現(xiàn)象，指因電子的流動(dòng)所導(dǎo)致的金屬原子移動(dòng)的現(xiàn)象。如果必要在自動(dòng)放置標(biāo)準(zhǔn)單元和宏單元之后，你可以先做一次PNA(power network analysis）--IR drop and EM .

　　3. Placement -自動(dòng)放置標(biāo)準(zhǔn)單元。

　　布局規(guī)劃后，宏單元、I/O Pad的位置和放置標(biāo)準(zhǔn)單元的區(qū)域都已確定，這些信息SE（SiliconEnsemble）會(huì)通過DEF文件傳遞給(PhysicalCompiler),PC根據(jù)由綜合給出的.DB文件獲得網(wǎng)表和時(shí)序約束信息進(jìn)行自動(dòng)放置標(biāo)準(zhǔn)單元，同時(shí)進(jìn)行時(shí)序檢查和單元放置優(yōu)化。如果你用的是PC Astro那你可用write_milkway, read_milkway 傳遞數(shù)據(jù)。I/OPad預(yù)先給出了位置，而宏單元?jiǎng)t根據(jù)時(shí)序要求進(jìn)行擺放，標(biāo)準(zhǔn)單元?jiǎng)t是給出了一定的區(qū)域由工具自動(dòng)擺放。

I老化原因？C

為什么老化跟時(shí)間有關(guān)？

為什么電路速度會(huì)隨時(shí)間原來越慢呢？因?yàn)閿噫I是隨機(jī)發(fā)生，需要時(shí)間積累。另外，前面提到的斷裂的Si-H鍵是可以自己恢復(fù)的，所以基于斷鍵的老化效應(yīng)都有恢復(fù)模式。對(duì)于NBTI效應(yīng)來說，加反向電壓就會(huì)進(jìn)恢復(fù)模式；對(duì)于HCI效應(yīng)來說，停止使用就進(jìn)入恢復(fù)模式。但是這兩種方式都不可能長時(shí)間發(fā)生，所以總的來說，芯片是會(huì)逐漸老化的。在做產(chǎn)品驗(yàn)證時(shí)我們往往會(huì)遇到三個(gè)問題，驗(yàn)證什么，如何去驗(yàn)證，哪里去驗(yàn)證，這就是what,how,where的問題了。

為什么老化跟溫度有關(guān)？

為什么電路速度跟溫度也有影響呢？溫度表示宏觀物體微觀粒子的平均動(dòng)能。溫度越高，電子運(yùn)動(dòng)越劇烈，Si?HSi?H鍵斷鍵幾率就大。

為什么加壓會(huì)加速老化？

為什么加壓有影響呢？同樣的晶體管，供電電壓越高偏移電壓越高，偏移電壓越高氫原子游離越快，等于壓制了自發(fā)的恢復(fù)效應(yīng)，自然老化就快了。

深圳瑞泰威科技有限公司是國內(nèi)IC電子元器件的代理銷售企業(yè)，專業(yè)從事各類驅(qū)動(dòng)IC、存儲(chǔ)IC、傳感器IC、觸摸IC銷售，品類齊全，具備上百個(gè)型號(hào)。

數(shù)字IC低功耗物理設(shè)計(jì)

隨著集成電路生產(chǎn)工藝的迅速發(fā)展,功耗作為芯片質(zhì)量的重要衡量標(biāo)準(zhǔn)引起了國內(nèi)外學(xué)者越來越多的重視和研究。當(dāng)晶體管的特征尺寸減小到納米級(jí)時(shí),其泄露電流的增加、工作頻率的提高和晶體管門數(shù)的攀升極大提高了芯片的功耗。同時(shí),傳統(tǒng)的基于UPF(Unified Power Format)的低功耗設(shè)計(jì)流程存在著效率低、可修復(fù)性差等缺點(diǎn)。針對(duì)以上問題,以14 nm工藝下數(shù)字芯片fch_sata_t模塊為例,簡要介紹了全新的基于CUPF(Ctant UPF)的低功耗物理設(shè)計(jì)流程,利用門控電源和多電源電壓等技術(shù)對(duì)芯片進(jìn)行低功耗設(shè)計(jì)。然而，在230℃~260℃的范圍中的無鉛工藝?yán)铮魏螡穸鹊拇嬖诙寄軌蛐纬勺銐驅(qū)е缕茐姆庋b的?。ū谆睿┗虿牧戏謱印＝K,通過Synopsys旗下PrimetimePX提供功耗分析結(jié)果,證明了芯片功耗滿足設(shè)計(jì)要求。

深圳瑞泰威科技有限公司是國內(nèi)IC電子元器件的代理銷售企業(yè)，專業(yè)從事各類驅(qū)動(dòng)IC、存儲(chǔ)IC、傳感器IC、觸摸IC銷售，品類齊全，具備上百個(gè)型號(hào)。與國內(nèi)外的東芝、恩智浦、安森美、全宇昕、上海晶準(zhǔn)等均穩(wěn)定合作，保證產(chǎn)品的品質(zhì)和穩(wěn)定供貨。尺寸縮小有其物理限制不過，制程并不能無限制的縮小，當(dāng)我們將晶體管縮小到20奈米左右時(shí)，就會(huì)遇到量子物理中的問題，讓晶體管有漏電的現(xiàn)象，抵銷縮小L時(shí)獲得的效益。自公司成立以來，飛速發(fā)展，產(chǎn)品已涵蓋了工控類IC、光通信類IC、無線通信IC、消費(fèi)類IC等行業(yè)。