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真空鍍膜之多弧離子鍍 ：

多弧離子鍍又稱電弧離子鍍或陰極離子鍍是以鍍膜材料為陰極,陽(yáng)極和真空室相連,陰極和陽(yáng)極分別接到低壓大電流直流電源的負(fù)極和正極。真空鍍膜技術(shù)是一種新穎的材料合成與加工的新技術(shù)，是表面工程技術(shù)領(lǐng)域的重要組成部分。蒸鍍時(shí)由于放電,在陰極表面上出現(xiàn)明亮的弧斑, 從而使陰極材料蒸發(fā)并電離, 形成金屬等離子體。引弧電極與陰極靶表面接觸和離開的瞬間,陰極和陽(yáng)極之間形成穩(wěn)定的自持弧光放電。

電子束蒸發(fā)源蒸鍍法

將蒸發(fā)材料放入水冷銅坩鍋中，直接利用電子束加熱，使蒸發(fā)材料氣化蒸發(fā)后凝結(jié)在基板表面成膜，是真空蒸發(fā)鍍膜技術(shù)中的一種重要的加熱方法和發(fā)展方向。電子束蒸發(fā)克服了一般電阻加熱蒸發(fā)的許多缺點(diǎn)，特別適合制作熔點(diǎn)薄膜材料和高純薄膜材料。

鍍膜原理

陰極真空磁控濺射的特點(diǎn)：膜層厚度均勻、鍍膜速度快、基板溫度低。二氧化硅Sio2的熔點(diǎn)、沸點(diǎn)較高（熔點(diǎn)1723℃，沸點(diǎn)2230℃）。濺射鍍膜利用2個(gè)原理：輝光放電、連續(xù)撞擊。濺射過(guò)程是建立在氣體放電基礎(chǔ)上的，放電從低壓下開始的，氣體離子與靶材相互作用，離子不斷的撞擊靶表面，靶材從靶表面被轟擊下來(lái)然后在靶附近的基片（玻璃）上沉積下來(lái)，凝結(jié)成一層薄膜。

鍍膜基片

鍍膜基片有：浮法原片、切磨玻璃、鋼化玻璃、彩釉玻璃、夾層玻璃等。鍍膜工藝流程中工藝參數(shù)的控制和對(duì)膜層沉積的影響：真空度：真空度是指處于真空狀態(tài)下氣體的稀薄程度,用壓強(qiáng)表示,壓強(qiáng)越低,其稀薄程度越大,真空度越高。鍍膜前基片必須用純凈水清洗，去除基片表面的灰塵、污垢、油膩等雜質(zhì)，因?yàn)楸砻娴碾s質(zhì)將會(huì)影響膜層的附著能力，或者影響鍍膜玻璃的外觀質(zhì)量。如果基片表面存在膠印、筆印等不能清洗掉的雜質(zhì)，在清洗之前必須用酒精將雜質(zhì)擦去。