（2）主要技術(shù)參數(shù) 1）基本參數(shù) 功率源： 5000V 1200A 2）柵極-發(fā)射極漏電流IGES IGES： 0.1-10uA±2%±0.01uA 集電極電壓VCE： 0V 柵極電壓Vge： 0-40V±3%±0.1V 3）集電極-發(fā)射極電壓 集電極電壓VCES： 100-5000V±2%±10V 集電極電流ICES： 0.1-5mA±3%±0.01mA 柵極電壓Vge： 0V 4）集電極-發(fā)射極飽和電壓VCESat VCESat：0.2-5V 柵極電壓Vge： ±15V±2%±0.2V 集電極電流ICE： 10-1200A±2%±1A 5）集電極-發(fā)射極截止電流ICES 集電極電壓VCE： 100-5000V±3% 集電極電流ICES： 0.1-5mA±3%±0.01mA 柵極電壓VGE： 0V 6）柵極-發(fā)射極閾值電壓 VGEth： 1-10V±2%±0.1V Vce： 12V 集電極電流ICE： 30mA±3% 7）二極管壓降測(cè)試 VF： 0-5V±2%±0.01V IF： 0-1200A±2%±1A Vge： 0V

華科智源IGBT測(cè)試儀制造標(biāo)準(zhǔn) 華科智源IGBT測(cè)試儀HUSTEC-1200A-MT除滿足本技術(shù)規(guī)格書的要求外，在其設(shè)計(jì)、制造、試驗(yàn)、檢定等制程中還應(yīng)滿足以下標(biāo)準(zhǔn)的版本。華科智源IGBT測(cè)試儀制造標(biāo)準(zhǔn) 華科智源IGBT測(cè)試儀HUSTEC-1200A-MT除滿足本技術(shù)規(guī)格書的要求外，在其設(shè)計(jì)、制造、試驗(yàn)、檢定等制程中還應(yīng)滿足以下標(biāo)準(zhǔn)的版本。 GB/T 29332-2012 半導(dǎo)體器件分立器件第9 部分：絕緣柵雙極晶體管（IGBT） GB 13869-2008 用電安全導(dǎo)則 GB19517-2004 國(guó)家電器設(shè)備安全技術(shù)規(guī)范 GB 4208-2008 外殼防護(hù)等級(jí)（IP 代碼）（IEC 60529：2001，IDT） GB/T 191-2008 包裝儲(chǔ)運(yùn)圖示標(biāo)志 GB/T 15139-1994 電工設(shè)備結(jié)構(gòu)總技術(shù)條件 GB/T 2423 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) GB/T 3797-2005 電氣控制設(shè)備 GB/T 4588.3-2002 印制板的設(shè)計(jì)和使用 GB/T 9969-2008 工業(yè)產(chǎn)品使用說明書總則 GB/T 6988-2008 電氣技術(shù)用文件的編制 GB/T 3859.3 半導(dǎo)體變流器變壓器和電抗器 GB/T 4023-1997 半導(dǎo)體器件分立器件和集成電路第2 部分:整流二極管

3.3主要技術(shù)要求

3.3.1 動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試單元技術(shù)要求

3.3.1.1 環(huán)境條件

1)海拔高度：海拔不超過1000m；

2)溫度：儲(chǔ)存環(huán)境溫度 -20℃～60℃；

3)工作環(huán)境溫度： -5℃～40℃；

4)濕度：20%RH 至 90%RH (無凝露，濕球溫度計(jì)溫度: 40℃以下)；

5)震動(dòng)：抗能力按7級(jí)設(shè)防，地面抗震動(dòng)能力≤0.5g；

6)防護(hù)：無較大灰塵，腐蝕或性氣體，導(dǎo)電粉塵等空氣污染的損害；