磁珠的單位與封裝

磁珠的單位是歐姆，不是亨特，應該特別注意。因為磁珠的單位是根據它在某一頻率產生的阻抗來標定的，所以阻抗的單位也是歐姆。磁珠數據表通常會提供頻率和阻抗的特，通常以100兆赫茲為標準，例如100兆赫茲時為600歐姆，這意味著磁珠的阻抗在100兆赫茲頻率下相當于600歐姆。

磁珠包裝通常包括貼片磁珠和插入式磁珠。

鐵氧體片式電感器和片式磁珠產品具有相同的封裝基板外形。它分為公制包裝和英制包裝。

包裝是規(guī)格和尺寸的代碼或縮寫。以下是國內外主要感應磁珠品牌的外形尺寸概述，僅供選購參考。

磁珠的選型

磁珠主要用于抑制電磁干擾差模噪聲。它們的DC阻抗很小，但在高頻時阻抗很高。一般來說，600R是指在100兆赫茲測試頻率下的阻抗值。選擇磁珠時應考慮兩個方面:一是電路中的噪聲干擾，二是要通過的電流量。為了大致了解噪聲的頻率和強度，不同磁珠的頻率阻抗曲線是不同的，應選擇在噪聲中心頻率處具有較高磁珠阻抗的磁珠。如果噪聲干擾大，阻抗應該更高，但不是越高，越好，因為阻抗越高，DCR越高，有用信號的衰減越大。但是，一般沒有明確的計算和選擇標準，主要取決于實際使用效果，一般采用120R-600R。然后它取決于通過的電流。如果用于電力線部分，應選擇額定電流較高的型號。如果用于信號線部分，額定電流要求一般不高。此外，磁珠的額定電流通常較小，阻抗較高。磁珠的選擇應基于實際情況。例如，對于3.3V和300毫安的電源，要求3.3V不能低于3.0V。那么磁珠的DC電阻DCR應該低于1R。在這種情況下，通常選擇0.5R來防止參數漂移。對于噪聲抑制能力，假設負載為45歐姆，如果要求100兆赫茲和300兆赫茲的噪聲通過磁珠后達到50兆赫茲，則應選擇dcr1r和225R的磁珠。225 r是如何計算的？(45歐姆/50毫伏)* 250毫伏=225歐姆

磁珠與電感的對比

磁珠用于模擬和數字相結合的地方。數字和模擬地之間使用的磁珠有多大？磁珠的大小(具體來說，應該是磁珠的特征曲線)取決于您需要磁珠吸收的干擾波頻率。為什么磁珠的單位和電阻是一樣的？磁珠對高頻有電阻，對直流有低電阻，對高頻有高電阻，因此很容易理解，例如，1000 R @ 100兆赫茲意味著對100兆頻率的信號有1000歐姆的電阻，因為磁珠的單位是根據它在某一頻率產生的阻抗而標稱的，而阻抗的單位也是歐姆。磁珠數據表通常附有頻率和阻抗特性曲線。通常，標準是100兆赫茲，例如2012B601，這意味著磁珠在100兆赫茲時的阻抗是600歐姆。

在許多產品中，開關的兩個接地通過電容連接。為什么不用電感呢？如果使用磁珠或直接連接，人體靜電等意外水平很容易進入開關接地，開關將無法正常工作。然而，如果它們斷開，當它們被閃電或其他高電壓擊中時，兩個地方之間的電火花會引起火災。增加電容可以避免這種情況。

磁珠的特性

(3)液晶共振效應

在電源線上，電阻通常很小，電阻相對較大。舉一個極端的例子，RS=0，RL=無窮大。進行簡單計算，如下圖所示。因此，這種振蕩的可能性相對較大。

對于液相色譜串聯電路，增益響應曲線如下圖所示。可以看到，在3兆赫，有一個凸起，約為11dB。上述電路在時域中用L-真值進行了。分別輸入10KHz和3.3MHz的正弦信號。模擬的L-真值結果如下圖所示。可以看出，當正弦輸入為10KHz時，輸入和輸出信號基本相同，但當輸入頻率增加到3.3MHz正弦輸入時(對應于提高的頻率點)，輸出信號幅度約為輸入信號幅度的4倍。

因此，如果電路設計不合適，濾波電路將變成放大電路。

如何解決這種液晶振蕩？

這可以通過增加后續(xù)級的電容來實現[1]。

修改電路如下[4]: (4) DC電阻

在選擇磁珠時，我們應該注意它們的DC電阻。如果供電設備(尤其是數字設備)偶爾會有大電流。例如，如果選擇DC電阻為0.7歐姆的磁珠，并且被供電設備所需的電壓為1.1V，芯片偶爾會消耗400毫安的電流，那么芯片通過磁珠后的電壓將下降到0.82伏，這可能導致芯片工作異常。此外，由于大電流是瞬態(tài)的，你很難觀察到這種現象。