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濺射鍍膜機(jī)濺射鍍技術(shù)應(yīng)用
蒸發(fā)鍍應(yīng)用新型電極 引入裝置,接觸電阻小且可靠;磁控濺射應(yīng)用鍍膜材料廣泛,各種非導(dǎo)磁的金屬、合金均可作鍍料;結(jié)構(gòu)緊湊、占地面積小;磁控、蒸發(fā)共用兩臺(tái)立式工件車(chē),操作 方便、。 (或雙門(mén)蒸發(fā)、磁控兩用機(jī)) 公司業(yè)務(wù)范圍真空鍍膜成套設(shè)備與技術(shù),真空工程用各種泵、閥、真空計(jì)、油、脂、密封件,真空鍍膜材料、涂料、金屬及合金制品?;暮婵究梢栽谡婵帐彝膺M(jìn)行,也可以在真空室內(nèi)繼續(xù)進(jìn)行,以獲得更好的效果。真空設(shè)備故障診斷與排除、老 產(chǎn)品改造。新型塑料、金屬、玻璃等制品表面處理工藝及技術(shù)研究,咨詢(xún)服務(wù)。新技術(shù)、新設(shè)備、新工藝公司新開(kāi)發(fā)的磁控、蒸發(fā)多用鍍膜機(jī),配用改進(jìn)型高真空抽 氣系統(tǒng)及全自動(dòng)控制系統(tǒng),抽速快、、操作簡(jiǎn)單、工作可靠;具有可鍍膜系廣、膜層均勻、附著力好、基板溫度底等特點(diǎn);是鍍制金屬、合金及化合物膜的理 想設(shè)備;適合鍍制透明膜、半透明膜、超硬膜、屏蔽膜及一些特殊的功能性膜。已廣泛應(yīng)用在光學(xué)、電子、通訊、航空等領(lǐng)域。
磁控濺射中靶zhong毒是怎么回事,一般的影響因素是什么?
靶zhong毒現(xiàn)象
(1)正離子堆積:靶zhong毒時(shí),靶面形成一層絕緣膜,正離子到達(dá)陰極靶面時(shí)由于絕緣層的阻擋,不能直接進(jìn)入陰極靶面,而是堆積在靶面上,容易產(chǎn)生冷場(chǎng)致弧光放電---打弧,使陰極濺射無(wú)法進(jìn)行下去。真空磁控濺射鍍膜所謂濺射就是用荷能粒子(通常用惰性氣體的正離子)去轟擊固體(以下稱(chēng)靶材)表面,從而引起靶材表面上的原子(或分子)從其中逸出的一種現(xiàn)象。(2)陽(yáng)極消失:靶zhong毒時(shí),接地的真空室壁上也沉積了絕緣膜,到達(dá)陽(yáng)極的電子無(wú)法進(jìn)入陽(yáng)極,形成陽(yáng)極消失現(xiàn)象。
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磁控濺射鍍膜儀用高能粒子轟擊固體表面時(shí)能使固體表面的粒子獲得能量并逸出表面,沉積在基片上。
電子在電場(chǎng)E的作用下,在飛向基片過(guò)程中與ya原子發(fā)生碰撞,使其電離產(chǎn)生出Ar正離子和新的電子;新電子飛向基片,Ar離子在電場(chǎng)作用下加速飛向陰極靶,并以高能量轟擊靶表面,使靶材發(fā)生濺射。歷經(jīng)30很多年的發(fā)展趨勢(shì),磁控濺射技術(shù)性早已發(fā)展趨勢(shì)變成制取超硬、耐磨損、低摩擦阻力、抗腐蝕、裝飾設(shè)計(jì)及其電子光學(xué)、熱學(xué)等多功能性塑料薄膜的這種不能取代的方式。在濺射粒子中,中性的靶原子或分子沉積在基片上形成薄膜,而產(chǎn)生的二次電子借助于靶表面上形成的正交電磁場(chǎng),被束縛在靶表面特定區(qū)域,增強(qiáng)電離效率,增加離子密度和能量,從而實(shí)現(xiàn)高速率濺射。是制備低維度,小尺寸納米材料器件的實(shí)驗(yàn)手段,廣泛應(yīng)用于集成電路,光子晶體,低維半導(dǎo)體等領(lǐng)域。
1、磁控濺射和電阻蒸發(fā)雙應(yīng)用。本機(jī)采用可磁控濺射與電阻蒸發(fā)免拆卸轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu),可快速實(shí)現(xiàn)蒸發(fā)源的轉(zhuǎn)換。
2、桌面小型一體化結(jié)構(gòu)。本機(jī)對(duì)真空腔體、鍍膜電源及控制系統(tǒng)進(jìn)行整合設(shè)計(jì),體積與一臺(tái)A3 打印機(jī)相仿(不包含真空機(jī)組,480x320x460mm,寬X 高X 深)
磁控濺射
磁控濺射是物理氣相沉積(Physical Vapor Deition,PVD)的一種。一般的濺射法可被用于制備金屬、半導(dǎo)體、絕緣體等多材料,且具有設(shè)備簡(jiǎn)單、易于控制、鍍膜面積大和附著力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)。
磁控濺射包括很多種類(lèi)。各有不同工作原理和應(yīng)用對(duì)象。但有一共同點(diǎn):利用磁場(chǎng)與電場(chǎng)交互作用,使電子在靶表面附近成螺旋狀運(yùn)行,從而增大電子撞擊氣產(chǎn)生離子的概率。所產(chǎn)生的離子在電場(chǎng)作用下撞向靶面從而濺射出靶材。