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磁控濺射鍍膜機(jī)的行業(yè)須知【創(chuàng)世威納】

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發(fā)布時(shí)間:2020-12-14 10:00  







磁控濺射鍍膜機(jī)

創(chuàng)世威納專業(yè)生產(chǎn)、銷售 磁控濺射鍍膜機(jī),以下信息由創(chuàng)世威納為您提供。

目前國(guó)內(nèi)窗膜行業(yè)的批發(fā)商及終端店很多人都吃過(guò)磁控鍍銀膜氧化的虧,產(chǎn)品賣出后幾個(gè)月,開(kāi)始大面積氧化,需要賠償,甚至還失去了客戶。特別是NSN系列在13、14年出的問(wèn)題特別多,搞得很多人談磁控膜色變的地步。而在15、16年后,問(wèn)題得到解決。慢慢地就沒(méi)多少氧化問(wèn)題出現(xiàn)了。這也讓很多剛接觸磁控膜的人以為磁控膜都是鍍銀的膜,一說(shuō)磁控膜就問(wèn)會(huì)不會(huì)氧化。其實(shí)大可不必?fù)?dān)心,大部分的側(cè)檔都不是銀的,請(qǐng)放心使用。且這兩年的技術(shù)進(jìn)步,國(guó)內(nèi)各磁控工廠也找到了解決氧化的方法。實(shí)際上,每個(gè)設(shè)備都有使用壽命,例如,擴(kuò)散泵用的硅油,使用壽命為兩年左右,我們提早更換,這是浪費(fèi)嗎。其實(shí)在玻璃鍍膜行業(yè),早就解決了氧化問(wèn)題,我記得早期的low-e玻璃在鍍膜后必須在24小時(shí)內(nèi)合成中空,不然就會(huì)氧化。當(dāng)時(shí)low-e與中空都是鍍膜廠做的,下邊玻璃加工廠根本無(wú)法介入,而現(xiàn)在鍍膜廠只需生產(chǎn)玻璃鍍膜原片。且玻璃原片爆露在空氣中可達(dá)6個(gè)月以上,都不會(huì)氧化。這樣中空玻璃,一些門窗廠,幕墻公司、小規(guī)模的玻璃深加工工廠,都可以生產(chǎn)low-e中空玻璃了,加上政府政策的支持與引導(dǎo),大大的加快了low-e玻璃的發(fā)展與普及。做窗膜磁控濺射鍍膜的應(yīng)多去看看玻璃行業(yè)的low-e鍍膜,多些交流。畢竟生產(chǎn)原理是一樣的東西,技術(shù)是相通的。很多東西是可以套用的,low-e鍍膜得到了規(guī)?;陌l(fā)展,技術(shù)工藝已非常成熟了。窗膜磁控濺射鍍膜終是要與玻璃配套的,如何與玻璃上直接鍍膜做差異化發(fā)展,才是正道。就目前來(lái)說(shuō),僅從隔熱性能、保溫性能上與玻璃對(duì)抗,是不可能有成本上優(yōu)勢(shì)的。但都是鍍膜,如何做差異化,我目前也只是拋磚引玉,只有大家一起開(kāi)動(dòng)腦袋了。










磁控濺射中靶zhong毒是怎么回事,一般的影響因素是什么?

靶zhong毒的影響因素  

影響靶zhong毒的因素主要是反應(yīng)氣體和濺射氣體的比例,反應(yīng)氣體過(guò)量就會(huì)導(dǎo)致靶zhong毒。磁控濺射通過(guò)在靶陰極表面引入磁場(chǎng),利用磁場(chǎng)對(duì)帶電粒子的約束來(lái)提高等離子體密度以增加濺射率。反應(yīng)濺射工藝進(jìn)行過(guò)程中靶表面濺射溝道區(qū)域內(nèi)出現(xiàn)被反應(yīng)生成物覆蓋或反應(yīng)生成物被剝離而重新暴露金屬表面此消彼長(zhǎng)的過(guò)程。如果化合物的生成速率大于化合物被剝離的速率,化合物覆蓋面積增加。在一定功率的情況下,參與化合物生成的反應(yīng)氣體量增加,化合物生成率增加。如果反應(yīng)氣體量增加過(guò)度,化合物覆蓋面積增加,如果不能及時(shí)調(diào)整反應(yīng)氣體流量,化合物覆蓋面積增加的速率得不到抑制,濺射溝道將進(jìn)一步被化合物覆蓋,當(dāng)濺射靶被化合物全部覆蓋的時(shí)候,靶完全zhong毒。











濺射鍍膜

濺射鍍膜就是在真空中利用荷能粒子轟擊靶表面,使被轟擊出的粒子沉積在基片上的技術(shù)。這是因?yàn)榘校帢O),等離子體,和被濺零件/真空腔體可形成回路。通常,利用低壓惰性氣體輝光放電來(lái)產(chǎn)生入射離子。陰極靶由鍍膜材料制成,基片作為陽(yáng)極,真空室中通入0.1-10Pa的ya氣或其它惰性氣體,在陰極(靶)1-3KV直流負(fù)高壓或13.56MHz的射頻電壓作用下產(chǎn)生輝光放電。電離出的ya離子轟擊靶表面,使得靶原子濺出并沉積在基片上,形成薄膜。濺射方法很多,主要有二級(jí)濺射、三級(jí)或四級(jí)濺射、磁控濺射、對(duì)靶濺射、射頻濺射、偏壓濺射、非對(duì)稱交流射頻濺射、離子束濺射以及反應(yīng)濺射等。








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