濺射鍍膜機(jī)濺射鍍技術(shù)優(yōu)點(diǎn)

濺射鍍膜機(jī)濺射鍍技術(shù)應(yīng)用  蒸發(fā)和磁控濺射兩用立式裝飾鍍膜機(jī)，主要適用于塑料、陶瓷、玻璃金屬材料表面鍍制金屬化裝飾膜。磁控濺射就是以磁場(chǎng)束縛和延長(zhǎng)電子的運(yùn)動(dòng)路徑，改變電子的運(yùn)動(dòng)方向，提高工作氣體的電離率和有效利用電子的能量。由于鍍膜室為立式容器，所以它具有臥式鍍膜機(jī)的一切優(yōu)點(diǎn)，   又利于自重較大的、易碎的鍍件裝卡，更可方便地實(shí)現(xiàn)自動(dòng)生產(chǎn)線，是替代傳統(tǒng)濕法水電鍍的更為理想的新一代真空鍍膜設(shè)備。本機(jī)鍍部分產(chǎn)品可不做底油。本機(jī)主 要特點(diǎn)配用改進(jìn)型高真空排氣系統(tǒng)，抽速快、、節(jié)電、降噪和延長(zhǎng)泵使用壽命;實(shí)現(xiàn)蒸發(fā)、磁控濺射、自動(dòng)控制，操作簡(jiǎn)單，工作可靠。

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鍍膜設(shè)備原理及工藝

主要濺射方式：

反應(yīng)濺射是在濺射的惰性氣體氣氛中,通入一定比例的反應(yīng)氣體,通常用作反應(yīng)氣體的主要是氧氣和氮?dú)狻?

直流濺射(DC Magnetron1 Sputtering)、射頻濺射(RF Magnetron1 Sputtering)、脈沖濺射(PulsedMagnetro n1 Sp uttering)和中頻濺射(Medium Fre2quency Magnetro2 n Sp uttering)

直流濺射方法用于被濺射材料為導(dǎo)電材料的濺射和反應(yīng)濺射鍍膜中,其工藝設(shè)備簡(jiǎn)單,有較高的濺射速率。

中頻交流磁控濺射在單個(gè)陰極靶系統(tǒng)中,與脈沖磁控濺射有同樣的釋放電荷、防止打弧作用。光學(xué)鍍膜設(shè)計(jì)（1）減反射膜減反射也稱增透膜，這種膜主要鍍?cè)谕该鞯驼凵渎驶咨?，如玻璃上鍍減反射膜，常見的膜層結(jié)構(gòu)采用高、低折射率膜層疊加而成（2）彩色鍍膜彩色鍍膜主要也是在玻璃等透明基底上鍍膜，其膜層材料和結(jié)構(gòu)類似減反射鍍膜。中頻交流濺射技術(shù)還應(yīng)用于孿生靶(Twin2Mag)濺射系統(tǒng)中,中頻交流孿生靶濺射是將中頻交流電源的兩個(gè)輸出端,分別接到閉合磁場(chǎng)非平衡濺射雙靶的各自陰極上,因而在雙靶上分別獲得相位相反的交流電壓,一對(duì)磁控濺射靶則交替成為陰極和陽(yáng)極。孿生靶濺射技術(shù)大大提高磁控濺射運(yùn)行的穩(wěn)定性,可避免被毒化的靶面產(chǎn)生電荷積累,引起靶面電弧打火以及陽(yáng)極消失的問題,濺射速率高,為化合物薄膜的工業(yè)化大規(guī)模生產(chǎn)奠定基礎(chǔ)。

連續(xù)式的磁控濺射生產(chǎn)線 總體上可以分為三個(gè)部分: 前處理, 濺射鍍膜, 后處理。

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磁控濺射鍍膜設(shè)備技術(shù)的特點(diǎn)

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(1)工件變形小 由于工件表面均勻覆蓋輝光，溫度一致性好，可以通過控制功率輸出來實(shí)現(xiàn)均勻升溫。另陰極濺射抵消了滲人元素引起的尺寸擴(kuò)一大

(2) 滲層的組織和結(jié)構(gòu)易于控制 通過調(diào)整工藝參數(shù)，可得到單相或多相的滲層組織

(3)工件無須附加清理 陰極濺射可以有效去除氧化膜，凈化工件表面，同時(shí)真空處理無新生氧化膜，這些都減少了附加設(shè)備和工時(shí)，降低了成本。

(4) 防滲方便 不需滲的地方可簡(jiǎn)單地遮蔽起來，對(duì)環(huán)境無公害，無污染，勞動(dòng)條件好。

(5) 經(jīng)濟(jì)效益高，能耗小 雖然初始設(shè)備投資較大，但工藝成本極低，是一種廉價(jià)的工程技術(shù)方法。此外，離子轟擊滲擴(kuò)技術(shù)易實(shí)現(xiàn)工藝過程或滲層質(zhì)量的計(jì)算機(jī)控制，質(zhì)量重復(fù)性好，可操作性強(qiáng)。

濺射鍍膜

由于被濺射原子是與具有數(shù)十電子伏特能量的正離子交換動(dòng)能后飛濺出來的，因而濺射出來的原子能量高，有利于提高沉積時(shí)原子的擴(kuò)散能力，提高沉積組織的致密程度，使制出的薄膜與基片具有強(qiáng)的附著力。濺射時(shí)，氣體被電離之后，氣體離子在電場(chǎng)作用下飛向接陰極的靶材，電子則飛向接地的壁腔和基片。如適合的本底真空度、靶材適用的濺射功率、工藝氣體和反應(yīng)氣體用量與輸入均勻性、膜層厚度等。這樣在低電壓和低氣壓下，產(chǎn)生的離子數(shù)目少，靶材濺射效率低；而在高電壓和高氣壓下，盡管可以產(chǎn)生較多的離子，但飛向基片的電子攜帶的能量高，容易使基片發(fā)熱甚至發(fā)生二次濺射，影響制膜質(zhì)量。另外，靶材原子在飛向基片的過程中與氣體分子的碰撞幾率也大為增加，因而被散射到整個(gè)腔體，既會(huì)造成靶材浪費(fèi)，又會(huì)在制備多層膜時(shí)造成各層的污染。