刻蝕機

刻蝕精度主要是用保真度、選擇比、均勻性等參數(shù)來衡量。所謂保真度度，就是要求把光刻膠的圖形轉(zhuǎn)移到其下的薄膜上，即希望只刻蝕所要刻蝕的薄膜，而對其上的掩膜和其下的襯底沒有刻蝕。事實上，以上三個部分都會被刻蝕，只是刻蝕速率不同。選擇比就是用來衡量這一指標(biāo)的參數(shù)。S=V/U（V為對薄膜的刻蝕速率，U為對掩膜或襯底的刻蝕速率），S越大則選擇比越好。由于跨越整個硅片的薄膜厚度和刻蝕速率不盡相同，從而也導(dǎo)致圖形轉(zhuǎn)移的不均勻，等離子刻蝕機尤其是中心和邊緣相差較大。因而均勻性成為衡量這一指標(biāo)的重要參數(shù)。除以上參數(shù)外，刻蝕速率也是一個重要指標(biāo)，它用來衡量硅片的產(chǎn)出速度，刻蝕速率越快，則產(chǎn)出率越高。

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刻蝕工藝過程

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等離子體刻蝕工藝包括以下六個步驟。 分離： 氣體由等離子體分離為可化學(xué)反應(yīng)的元素； 擴散： 這些元素擴散并吸附到硅片表面； 表面擴散：到達(dá)表面后， 四處移動； 反應(yīng)： 與硅片表面的膜發(fā)生反應(yīng)； 解吸： 反應(yīng)的生成物解吸， 離開硅片表面； 排放： 排放出反應(yīng)腔。

離子束刻蝕機

離子束是指以近似一致的速度沿幾乎同一方向運動的一群離子。離子源用以獲得離子束的裝置。在各類離子源中，用得較多的是等離子體離子源，即用電場將離子從一團等離子體中引出來。這類離子源的主要參數(shù)由等離子體的密度、溫度和引出系統(tǒng)的質(zhì)量決定。屬于這類離子源的有:潘寧放電型離子源射頻離子源、微波離子源、雙等離子體源、富立曼離子源等。另一類使用較多的離子源是電子碰撞型離子源，主要用于各種質(zhì)譜儀器中。

離子束刻蝕

離子束刻蝕技術(shù)是近年來發(fā)展起來的一種微細(xì)加工技術(shù)，它利用反應(yīng)離子束轟擊團體表面時發(fā)生的濺射效應(yīng)和化學(xué)反應(yīng)剝離加工工作上的幾何圖形。具有極高的分辨率，能夠控制槽深和槽壁角度，表面應(yīng)力小。反應(yīng)離子束刻蝕技術(shù)已有效地用于研究和制造大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路，聲表面波器件，磁泡存儲器，微波器件，集成光路，超導(dǎo)器件，閃爍光柵等。