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高純氫氣發(fā)生器采用了我所技術(shù)，完夠滿足國(guó)內(nèi)外任何型號(hào)，任何廠家生產(chǎn)的氣相色譜儀的使用。該發(fā)生器電解池采用過(guò)渡金屬催化技術(shù)，氫氣純度已達(dá)到：含氧量.小于3PPM。含水量.露i點(diǎn)溫度-56 ℃。高純氫氣發(fā)生器壓力控制采用了我所自行研制的高靈敏度模糊控制系統(tǒng)及自動(dòng)跟蹤系統(tǒng)，使壓力穩(wěn)定精度范圍小于0.001MPa。高純氫氣發(fā)生器通過(guò)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)氣體檢測(cè)中心檢測(cè),通過(guò)國(guó)家分析儀器質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)中心檢測(cè)。有國(guó)際水平的氫氣發(fā)生器是氣相色譜儀的助手。 賽鷺鑫氣體發(fā)生器銷售

　而氫氣作為半導(dǎo)體制造中的氣源，在半導(dǎo)體材料及器件制備中起到至關(guān)重要的作用?？稍诠怆娖骷?、傳感器、IC制造中應(yīng)用。

　　目前半導(dǎo)體工藝中氫氣主要用于退火、外延生長(zhǎng)、干法刻蝕等工藝。賽鷺鑫氣體發(fā)生器銷售

　　退火是通過(guò)高溫加熱釋放材料內(nèi)部應(yīng)力從而改善材料質(zhì)量的一種材料處理辦法，氫氣作為保護(hù)氣可以起到防止氧化等作用，多用于薄膜生長(zhǎng)后釋放應(yīng)力。

　　　氫氣在等離子體刻蝕(RIE/ICP)中作為反應(yīng)氣體出現(xiàn)，等離子體刻蝕原理是利用反應(yīng)氣體離化后與材料發(fā)生反應(yīng)生成揮發(fā)性物質(zhì)，從而實(shí)現(xiàn)材料圖形化，是半導(dǎo)體器件制備的必備工藝。賽鷺鑫氣體發(fā)生器銷售

純度

　　氮?dú)庠诓煌治鰞x器中所起的作用不同，所以對(duì)純度的需求也不同。理想化狀態(tài)下，變壓吸附所能達(dá)到的大純度要優(yōu)于膜分離技術(shù)。但變壓吸附所產(chǎn)生的氮?dú)饧兌扰c進(jìn)氣量、壓力、氣源質(zhì)量都有很大的關(guān)系，如果氣源不潔凈或者氣量壓力不夠，那純度會(huì)大大降低，不能單純認(rèn)為變壓吸附純度一定高。賽鷺鑫氣體發(fā)生器銷售

從鈀蔓延制取的高純度氫到具體得到的高純度氫，尚必須換置閥前管道的一段時(shí)間，一般約需2—3鐘頭。因?yàn)闅錃獍l(fā)生器在在出廠前，都需要?dú)v經(jīng)商品產(chǎn)品質(zhì)量檢驗(yàn)，因而閥1和閥3管道內(nèi)，充有高純度氮，閥到管道前那一段管道充有高純度氮。當(dāng)氫氣發(fā)生器停用時(shí)，先要斷電，待設(shè)備制冷后各閘閥都關(guān)掉再停氣，便于在下一次應(yīng)用時(shí)降低換置系統(tǒng)軟件的時(shí)間。賽鷺鑫氣體發(fā)生器銷售