封裝測(cè)試的分類方式有多種，如以封裝組合中芯片數(shù)目為依據(jù)可以分為單芯片封裝和多芯片封裝;以材料為依據(jù)可以分為高分子材料類和陶瓷類;以器件和電路板連接方式為依據(jù)可以分為引腳插入型和表面貼裝型;以引腳分別為依據(jù)可以分為單邊引腳、雙邊引腳、四邊引腳、底部引腳等。封裝測(cè)試時(shí)在進(jìn)行后段工藝（EOL），對(duì)獨(dú)立的晶片用塑料外殼加以封裝保護(hù)、塑封，以及后固化、切筋和成型、電鍍以及打印等工藝。制造環(huán)節(jié)則需要大量的資金投入，這一點(diǎn)從大一期對(duì)于制造投入比重較大就能理解，而在封測(cè)環(huán)節(jié)則對(duì)資金和技術(shù)的要求相對(duì)較低。封裝完成后進(jìn)行成品測(cè)試，后入庫(kù)出貨。

WLCSP此封裝不同于傳統(tǒng)的先切割晶圓，再組裝測(cè)試的做法，而是先在整片晶圓上進(jìn)行封裝和測(cè)試，然后再切割。半導(dǎo)體生產(chǎn)流程如下：由晶圓制造、晶圓測(cè)試、芯片封裝和封裝后測(cè)試組成。半導(dǎo)體封裝測(cè)試是指將通過測(cè)試的晶圓按照產(chǎn)品型號(hào)及功能需求加工得到獨(dú)立芯片的過程。滲漏的煙油接觸PPTC芯材后，導(dǎo)致PPTC失效，影響產(chǎn)品正常使用。Single-ended此封裝形式的特點(diǎn)是引腳全部在一邊，而且引腳的數(shù)量通常比較少。它又可分為：導(dǎo)熱型，像常用的功率三極管，只有三個(gè)引腳排成一排，其上面有一個(gè)大的散熱片。

WLCSP生產(chǎn)周期和成本大幅下降，芯片所需引腳數(shù)減少，提高了集成度；引腳產(chǎn)生的電磁干擾幾乎被消除，采用此封裝的內(nèi)存可以支持到800MHz的頻率，容量可達(dá)1GB，所以它號(hào)稱是未來封裝的主流。它的不足之處是芯片得不到足夠的保護(hù)。幾年之前封裝本體面積與芯片面積之比通常都是幾倍到幾十倍，但近幾年來有些公司在BGA、TSOP的基礎(chǔ)上加以改進(jìn)而使得封裝本體面積與芯片面積之比逐步減小到接近1的水平，所以就在原來的封裝名稱下冠以芯片級(jí)封裝以用來區(qū)別以前的封裝。多芯片模塊具有以下特點(diǎn)：封裝密度更高，電性能更好，與等效的單芯片封裝相比體積更小。以引腳分別為依據(jù)可以分為單邊引腳、雙邊引腳、四邊引腳、底部引腳等。如果采用傳統(tǒng)的單個(gè)芯片封裝的形式分別焊接在印刷電路板上，則芯片之間布線引起的信號(hào)傳輸延遲就顯得非常嚴(yán)重，尤其是在高頻電路中，而此封裝優(yōu)點(diǎn)就是縮短芯片之間的布線長(zhǎng)度，從而達(dá)到縮短延遲時(shí)間、易于實(shí)現(xiàn)模塊高速化的目的。