光刻膠介紹

光刻膠介紹

光刻膠是一種對光線、溫度、濕度十分敏感的材料，可以在光照后發(fā)生化學(xué)性質(zhì)的改變，這是整個工藝的基礎(chǔ)。

光刻膠有不同的類型，PMMA（PMGI）以及DNQ（酚醛樹脂）等材料都可以做光刻膠。

 目前光刻膠市場上的參與者多是來自于美國、日本、韓國等國家，包括 FUTURREX、陶氏化學(xué)、杜邦、富士膠片、信越化學(xué)、住友化學(xué)、LG化學(xué)等等，中國公司在光刻膠領(lǐng)域也缺少核心技術(shù)。

光刻膠國內(nèi)研發(fā)現(xiàn)狀

“造成與國際水平差距的原因很多。在光刻膠生產(chǎn)種類上，我國光刻膠廠商主要生產(chǎn)PCB光刻膠，而LCD光刻膠和半導(dǎo)體光刻膠生產(chǎn)規(guī)模較小，相關(guān)光刻膠主要依賴進(jìn)口。過去由于我國在開始規(guī)劃發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)上，布局不合理、不完整，特別是生產(chǎn)加工環(huán)節(jié)的投資，而忽視了重要的基礎(chǔ)材料、裝備與應(yīng)用研究。目前，整個產(chǎn)業(yè)是中間加工環(huán)節(jié)強(qiáng)，前后兩端弱，核心技術(shù)至今被TOK、JSR、住友化學(xué)、信越化學(xué)等日本企業(yè)所壟斷。

光刻膠的主要技術(shù)指標(biāo)有解析度、顯影時間、異物數(shù)量、附著力、阻抗等。每一項技術(shù)指標(biāo)都很重要，必須全部指標(biāo)達(dá)到才能使用。因此，國外企業(yè)在配方、生產(chǎn)工藝技術(shù)等方面，對中國長期保密。中國的研發(fā)技術(shù)有待進(jìn)一步發(fā)展

芯片光刻的流程詳解（二）

所謂光刻，根據(jù)維基百科的定義，這是半導(dǎo)體器件制造工藝中的一個重要步驟，該步驟利用曝光和顯影在光刻膠層上刻畫幾何圖形結(jié)構(gòu)，然后通過刻蝕工藝將光掩模上的圖形轉(zhuǎn)移到所在襯底上。方法二，先通過干法刻蝕去除硬光刻膠外殼，再采用傳統(tǒng)的干法刻蝕去光刻膠的方法去除剩余的光刻膠的方法，但是這種方式增加了一步工藝流程，浪費能源，而且降低了生產(chǎn)效率。這里所說的襯底不僅包含硅晶圓，還可以是其他金屬層、介質(zhì)層，例如玻璃、SOS中的藍(lán)寶石。

光刻的基本原理是利用光致抗蝕劑（或稱光刻膠）感光后因光化學(xué)反應(yīng)而形成耐蝕性的特點，將掩模板上的圖形刻制到被加工表面上。

PR1-1000A1

NR9-3000PY 負(fù)性光刻膠

負(fù)膠 NR9-3000PY 被設(shè)計用于i 線（365 nm）曝光，可使用如步進(jìn)光刻、掃描投影式光刻、接近式光刻

和接觸式光刻等工具。

顯影之后，NR9-3000PY 展現(xiàn)出一種倒梯形側(cè)壁，這可以方便地作單純的LIFT-OFF 處理。

NR9-3000PY 相對于其他光刻膠具有如下優(yōu)勢：

- 優(yōu)異的分辨率性能

- 快速地顯影

- 可以通過調(diào)節(jié)曝光能量很容易地調(diào)節(jié)倒梯形側(cè)壁的角度

- 耐受溫度100℃

- 室溫儲存保質(zhì)期長達(dá)3 年

Lift-Off工藝

應(yīng)用領(lǐng)域：LEDs，OLEDs，displays，MEMS，packaging，biochips。

濕法蝕刻，鍍 干法蝕刻（RIE/Ion Milling/Ion implantation）

附著力好Temperature resistance = 100°C 耐高溫Temperature resistance = 180°C

Resist Thickness NR9-3000PY 負(fù)性光刻膠

負(fù)膠 NR9-3000PY 被設(shè)計用于i 線（365

nm）曝光，可使用如步進(jìn)光刻、掃描投影式光刻、接近式光刻