蝕刻注意的問(wèn)題

提高整個(gè)板子表面蝕刻速率的均勻性    板子上下兩面以及板面上各個(gè)部位的蝕刻均勻性是由板子表面受到蝕刻劑流量的均勻性決定的。    蝕刻過(guò)程中，上下板面的蝕刻速率往往不一致。一般來(lái)說(shuō)，下板面的蝕刻速率高于上板面。因?yàn)樯习迕嬗腥芤旱亩逊e，減弱了蝕刻反應(yīng)的進(jìn)行。可以通過(guò)調(diào)整上下噴嘴的噴啉壓力來(lái)解決上下板面蝕刻不均的現(xiàn)象。蝕刻印制板的一個(gè)普遍問(wèn)題是在相同時(shí)間里使全部板面都蝕刻干凈是很難做到的，板子邊緣比板子中心部位蝕刻的快。采用噴淋系統(tǒng)并使噴嘴擺動(dòng)是一個(gè)有效的措施。更進(jìn)一步的改善可以通過(guò)使板中心和板邊緣處的噴淋壓力不同，板前沿和板后端間歇蝕刻的辦法，達(dá)到整個(gè)板面的蝕刻均勻性。    提高安全處理和蝕刻薄銅箔及薄層壓板的能力    在蝕刻多層板內(nèi)層這樣的薄層壓板時(shí)，板子容易卷繞在滾輪和傳送輪上而造成廢品。所以，蝕刻內(nèi)層板的設(shè)備必須保證能平穩(wěn)的，可靠地處理薄的層壓板。許多設(shè)備制造商在蝕刻機(jī)上附加齒輪或滾輪來(lái)防止這類(lèi)現(xiàn)象的發(fā)生。更好的方法是采用附加的左右搖擺的聚四氟乙烯涂包線(xiàn)作為薄層壓板傳送的支撐物。對(duì)于薄銅箔(例如1/2或1/4盎司)的蝕刻，必須保證不被擦傷或劃傷。薄銅箔經(jīng)不住像蝕刻1盎司銅箔時(shí)的機(jī)械上的弊端，有時(shí)較劇烈的振顫都有可能劃傷銅箔。





等離子刻蝕機(jī)，又叫等離子蝕刻機(jī)、等離子平面刻蝕機(jī)、等離子體刻蝕機(jī)、等離子表面處理儀、等離子清洗系統(tǒng)等。等離子刻蝕，是干法刻蝕中常見(jiàn)的一種形式，其原理是暴露在電子區(qū)域的氣體形成等離子體，由此產(chǎn)生的電離氣體和釋放高能電子組成的氣體，從而形成了等離子或離子，電離氣體原子通過(guò)電場(chǎng)加速時(shí)，會(huì)釋放足夠的力量與表面驅(qū)逐力緊緊粘合材料或蝕刻表面。某種程度來(lái)講，等離子清洗實(shí)質(zhì)上是等離子體刻蝕的一種較輕微的情況。進(jìn)行干式蝕刻工藝的設(shè)備包括反應(yīng)室、電源、真空部分。工件送入被真空泵抽空的反應(yīng)室。氣體被導(dǎo)入并與等離子體進(jìn)行交換。等離子體在工件表面發(fā)生反應(yīng)，反應(yīng)的揮發(fā)性副產(chǎn)物被真空泵抽走。等離子體刻蝕工藝實(shí)際上便是一種反應(yīng)性等離子工藝。近期的發(fā)展是在反應(yīng)室的內(nèi)部安裝成擱架形式，這種設(shè)計(jì)的是富有彈性的，用戶(hù)可以移去架子來(lái)配置合適的等離子體的蝕刻方法：反應(yīng)性等離子體（RIE），順流等離子體（downstream），直接等離子體（direction plasma）。

蝕刻機(jī)和光刻機(jī)的區(qū)別

這倆設(shè)備非常簡(jiǎn)單的表述便是光刻機(jī)把原理圖投射到遮蓋有光刻膠的硅片上邊，刻蝕機(jī)再把剛剛畫(huà)了原理圖的硅片上的不必要原理圖浸蝕掉，那樣看上去好像沒(méi)有什么難的，可是有一個(gè)品牌形象的形容，每一塊集成ic上邊的電源電路構(gòu)造變大成千上萬(wàn)倍看來(lái)比全部北京市都繁雜，這就是這光刻和蝕刻加工的難度系數(shù)。 光刻的全過(guò)程就是目前制做好的硅圓表面涂上一層光刻膠(一種能夠被光浸蝕的膠狀物化學(xué)物質(zhì))，下面根據(jù)光源(加工工藝難度系數(shù)紫外線(xiàn)＜深紫外線(xiàn)＜極紫外線(xiàn))通過(guò)掩膜照射硅圓表面(相近投射)，由于光刻膠的遮蓋，照射的一部分被浸蝕掉，沒(méi)有陽(yáng)光照射的一部分被留下，這一部分就是必須 的電源電路構(gòu)造。 蝕刻加工分成二種，一種是干刻，一種是濕刻(現(xiàn)階段流行)，說(shuō)白了，濕刻便是全過(guò)程中存水添加，將上邊歷經(jīng)光刻的圓晶與特殊的化學(xué)溶液反映，除掉不用的一部分，剩余的就是電源電路構(gòu)造了，干刻現(xiàn)階段都還沒(méi)完成商業(yè)服務(wù)批量生產(chǎn)，其基本原理是根據(jù)等離子技術(shù)替代化學(xué)溶液，除去不用的硅圓一部分。