因?yàn)樯习迕嬗腥芤旱亩逊e﹐減弱了蝕刻反應(yīng)的進(jìn)行, 但可以通過調(diào)整上 下噴嘴的噴淋壓力來解決上下板面蝕刻不均的現(xiàn)象。 蝕刻工藝的一個(gè)普遍問題是在相同的時(shí)間里使全部板面都蝕刻干凈是很難做 到的。耐腐蝕的感光油墨在使用前，要調(diào)整稀稠度，在冬天，油墨很容易凝固。 因基板的邊緣位置比中心部位蝕刻得更快, 故很難做到同時(shí)使全部蝕刻都干 凈。 而采用噴淋系統(tǒng)并使噴嘴擺動(dòng)噴射是一個(gè)有效的解決措施。 要更進(jìn)一步地改 善, 可以透過對(duì)板中心和邊緣處不同的噴淋壓力, 以及對(duì)板前沿和板后端采用間歇 蝕刻的方法﹐達(dá)到整個(gè)板面的蝕刻均勻性。

蝕刻過程中常見的問題

蝕刻速率降低 蝕刻速率降低與許多因素有關(guān), 故需要檢查蝕刻條件 (例如﹕溫度、 噴淋壓力、 溶 液比重、 PH 值和氯化銨的含量等)﹐使其達(dá)到適宜的范圍。 蝕刻溶液中出現(xiàn)沈淀 是由于氨的含量過低（PH 值降低）﹐或水稀釋溶液等原因造成的 (例如:冷卻系統(tǒng)漏 水等)。此外﹐更為關(guān)鍵的問題是要保持蝕刻機(jī)沒有結(jié)渣﹐因很多時(shí)結(jié)渣堆積過多會(huì)對(duì)蝕刻液的化學(xué)平衡產(chǎn)生影響。 溶液比重過高也會(huì)造成沈淀。 抗蝕鍍層被浸蝕 是由于蝕刻液 PH 值過低或 CL 含量過高所造成的。 銅的表面發(fā)黑, 蝕刻不動(dòng) 蝕刻液中 NH4CL 的含量過低所造成的。

化學(xué)蝕刻（Chemical etching）-- 氣態(tài)物質(zhì)（中性原子團(tuán)）與表面反應(yīng)， 產(chǎn)物必定易揮發(fā)，也稱為等離子蝕刻。 等離子增強(qiáng)蝕刻(Ion-enhanced etching)—單獨(dú)使用中性原子團(tuán)不能形成易揮發(fā)產(chǎn)物，具有一定 能量的離子改變襯底或產(chǎn)物；具有一定能量的離子改變襯底或產(chǎn)物層，這樣，化學(xué)反應(yīng)以后 能生成揮發(fā)性物質(zhì)，亦稱為反應(yīng)離子蝕刻（RIE） 。2、焊接前清除表面油污，減少焊縫形成的虛焊、氣孔、裂紋等缺陷。 濺射蝕刻（Sputter etching）--具有一定能量的離子機(jī)械的濺射襯底材料。 蝕刻速率（Etch rate）--材料的剝離速率，通常以?/min，?/sec，nm/min, um/min 為單位計(jì) 量。 各向同性蝕刻（ Isotropic etch）-- 蝕刻速率在所有方向都是相同的。