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什么是光刻掩模板
在薄膜、塑料或玻璃基體材料上制作各種功能圖形并,以便用于光致抗蝕劑涂層選擇性曝光的一種結(jié)構(gòu),稱為光刻掩模版。
半導體集成電路制作過程通常需要經(jīng)過多次光刻工藝,在半導體晶體表面的介質(zhì)層上開鑿各種摻雜窗口、電極接觸孔或在導電層上刻蝕金屬互連圖形。光刻工藝需要一整套(幾塊多至十幾塊)相互間能套準的、具有特定幾何圖形的光復印掩蔽模版。
光刻版在使用過程中不可避免的會粘上灰塵、光刻膠等污染物,這些污染物的存在直接影響到光刻的效果。為了保證光刻版潔凈,必須定期對光刻版進行清洗,而清洗的效果與清洗工藝以及各清洗工藝在設(shè)備上的合理配置有著密切的聯(lián)系。
接觸光刻技術(shù)中使用的掩模的表面特征圖案的尺寸與實際掩模的尺寸相同。i在襯底上形成的圖案是1∶1,并且以直接接近光致抗蝕劑層表面的方式曝光i光線;另一方面,縮微技術(shù)中使用的掩模具有表面特征圖案的實際尺寸。倍縮光掩模(Reticle):當鉻膜玻璃僅能局部覆蓋晶圓稱為倍縮光掩模,通常圖型要放大4倍、5倍或10倍。i在襯底上形成的圖案的幾次通過光學系統(tǒng)投影模式曝光i光明。
按石英含量可分為兩類:①長石石英巖,石英含量大于75%,常含長石及云母等礦物,長石含量一般少于20%。如長石含量增多,則過渡為淺粒巖。②石英巖,石英含量大于90%,可含少量云母、長石、磁鐵礦等礦物。