.●反饋光耦供電用12V供電，且取樣點(diǎn)在后級(jí)濾波電感前面更好。因?yàn)闉V波電感前的波動(dòng)更快的反映前端PWM的調(diào)制狀態(tài)，就算TL431的開(kāi)啟程度是一定的，因?yàn)?2V的波動(dòng)可以讓光耦上反饋到的電流有微小的差異，在反饋環(huán)路一定的情況下，這個(gè)光耦供電取樣點(diǎn)的選擇更有利于動(dòng)態(tài)響應(yīng)和調(diào)整率的平衡控制。。●12V繞組應(yīng)該放在更接近于初級(jí)繞組的地方。這樣更有效的確保12V的電壓變化比例更小，因?yàn)槲覀兎答伈蓸拥氖?V端，所以難控制的是12V的繞組。綜合這些將可以更好的控制這兩個(gè)繞組的平衡度。雖然不能做到的好，但是相對(duì)的來(lái)說(shuō)是有一定參考價(jià)值的。

●上頁(yè)所述的樣板基本可以控制到 /-5%范圍的誤差，屬于可接受的范圍，建議喜歡動(dòng)手的朋友不妨試一下。應(yīng)用實(shí)例七應(yīng)用于功放的正負(fù)輸出電源欠壓式短路電壓保護(hù)控制電路說(shuō)明：功放電源正負(fù)雙輸出電壓保護(hù)●由Q1構(gòu)成正電壓欠壓式短路保護(hù)電路●當(dāng)正電壓短路時(shí)，電壓降低于穩(wěn)壓二極管加在Q1驅(qū)動(dòng)分壓電阻分壓后讓Q1導(dǎo)通，即可送出保護(hù)信號(hào)?！裼蒕2構(gòu)成負(fù)電壓欠壓式短路保護(hù)電路●當(dāng)負(fù)電壓短路時(shí)，電壓升高至串聯(lián)于Q2基極上穩(wěn)壓二極管，使Q2截止時(shí)，Q2集電極上的電壓信號(hào)經(jīng)過(guò)D2即可送出保護(hù)信號(hào)。

35.傳導(dǎo)整改，分段處理經(jīng)驗(yàn)，如下圖，這只是處理的一種方法，有些情況并不是能直接套用 36.輻射整改，分段處理經(jīng)驗(yàn)，如下圖，適合一些新手工程師，提供一個(gè)參考的方向，有些情況并不是能直接套用，的還是要搞清楚EMI產(chǎn)生的機(jī)理。 37.關(guān)于PCB碰到的問(wèn)題，如圖，為什么99SE畫(huà)板覆銅填充的時(shí)候填不滿這個(gè)位置？像是有死銅一樣D1這個(gè)元件有個(gè)文字描述的屬性放在了頂層銅箔，如圖 把它放到頂層絲印后，解決。38.變壓器銅箔屏蔽主要針對(duì)傳導(dǎo)，線屏蔽主要針對(duì)輻射，當(dāng)傳導(dǎo)非常好的時(shí)候，有可能你的輻射會(huì)差，這個(gè)時(shí)候把變壓器的銅箔屏蔽改成線屏蔽，盡量壓低30M下降的位置，這樣整改輻射會(huì)快很多。 EMI整改技巧之一 39.測(cè)試輻射的時(shí)候，多帶點(diǎn)不同品牌的MOS、肖特基。