我國使用的0

我國使用的0.1微米十級潔凈室主要依賴從國外進口。由于高潔凈級別的潔凈室造價十分昂貴，0.1微米十級潔凈室每平方米造價高達1萬美元以上。在大規(guī)模集成電路制造裝備的投資中潔凈廠房占有相當高的比例，這與集成電路工藝不斷更新，產(chǎn)品更新?lián)Q代周期越來越快的發(fā)展趨勢不相適應，嚴重制約了大規(guī)模集成電路技術的發(fā)展。美國ASYST公司、德國MW公司發(fā)展的使用隔離技術的亞微米生產(chǎn)微環(huán)境系統(tǒng)設備和技術在近幾年中得到廣泛采用。該項的潔凈技術在100級潔凈度的潔凈廠房中，采用工藝設備局部使用隔離技術的微環(huán)境，把投資比例壓縮到別的微環(huán)境，消除了操作者與工藝設備運行的二次污染源產(chǎn)生對集成電路成品率和可靠性的影響作用。

我國主要八家凈化設備廠銷售額1990年為8217萬元

據(jù)中國電子設備工業(yè)協(xié)會統(tǒng)計，我國主要八家凈化設備廠的銷售額1990年為8217萬元，還不足1億，1993年達到14495萬元，占國際市場銷售額的0.34％。但隨著我國高新技術的迅速發(fā)展和微電子工業(yè)、光纖工業(yè)、液晶顯示工業(yè)及光電器件工業(yè)、生物工程、工業(yè)的發(fā)展，我國潛在的巨大的潔凈技術產(chǎn)品市場，以每年40％~50％的增長速度在增加。因此在未來，潔凈市場的蛋糕是巨大的。

凈化工程廠家設計方案的優(yōu)化再優(yōu)化

在規(guī)劃凈化工程建造時，如何以的投入實現(xiàn)做大的效益，完整產(chǎn)出，一直是凈化工程設計師非常看重的問題，的經(jīng)濟設計方案是實現(xiàn)效益化的選擇，凈化工程廠家設計方案的優(yōu)化再優(yōu)化，更多的是為了在潔凈工程成本核算的控制上，如何有效的控制潔凈工程的成本，一直是凈化工程師們比較苦悶的事情。凈化工程-凈化工程設計過程中至關重要;凈化工程潔凈度的等級，凈化工程用料，空調(diào)系統(tǒng)，無塵室圍護結(jié)構，地板工程就是影響凈化工程造價。

潔凈室中的溫濕度控制

潔凈室中的溫濕度控制 潔凈空間的溫濕度主要是根據(jù)工藝要求來確定，但在滿足工藝要求的條件下，應考慮到人的舒適度感。隨著空氣潔凈度要求的提高，出現(xiàn)了工藝對溫濕度的要求也越來越嚴的趨勢。 具體工藝對溫度的要求以后還要列舉，但作為總的原則看，由于加工精度越來越精細，所以對溫度波動范圍的要求越來越小。例如在大規(guī)模集成電路生產(chǎn)的光刻曝光工藝中，作為掩膜板材料的玻璃與硅片的熱膨脹系數(shù)的差要求越來越小。直徑100 um的硅片，溫度上升1度，就引起了0.24um線性膨脹，所以必須有±0.1度的恒溫，同時要求濕度值一般較低，因為人出汗以后，對產(chǎn)品將有污染，特別是怕鈉的半導體車間，這種車間不宜超過25度。 濕度過高產(chǎn)生的問題更多。相對濕度超過55%時，冷卻水管壁上會結(jié)露，如果發(fā)生在精密裝置或電路中，就會引起各種事故。相對濕度在50%時易生銹。此外，濕度太高時將通過空氣中的水分子把硅片表面粘著的灰塵化學吸附在表面耐難以清除。相對濕度越高,粘附的難去掉，但當相對濕度低于30%時，又由于靜電力的作用使粒子也容易吸附于表面，同時大量半導體器件容易發(fā)生擊穿。對于硅片生產(chǎn)佳溫度范圍為35—45%。 潔凈室中的氣壓規(guī)定 對于大部分潔凈空間，為了防止外界污染侵入，需要保持內(nèi)部的壓力（靜壓）高于外部的壓力（靜壓）。壓力差的維持一般應符合以下原則： 1．潔凈空間的壓力要高于非潔凈空間的壓力。 2.潔凈度級別高的空間的壓力要高于相鄰的潔凈度級別低的空間的壓力。 3.相通潔凈室之間的門要開向潔凈度級別高的房間。 壓力差的維持依靠新風量，這個新風量要能補償在這一壓力差下從縫隙漏泄掉的風量。所以壓力差的物理意義就是漏泄（或滲透）風量通過潔凈室的各種縫隙時的阻力。