同方迪一整流橋，穩(wěn)定且易于使用

同方迪一整流橋

適合中低功率應(yīng)用的單相和三相絕緣整流橋。二極管、晶閘管和IGBT采用通用和特殊拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，有各種外殼和端子設(shè)計可供選擇。適用于電壓范圍200V - 2200V、電流范圍 9A - 494A。

同方迪一整流橋的優(yōu)勢

對于以性能、空間和快速生產(chǎn)為重要因素的許多應(yīng)用，同方迪一整流橋是理想的解決方案。

絕緣的緊湊外殼中可集成二極管、晶閘管和IGBT，并支持單相和三相拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。無論您選焊接、免焊接彈簧或Press-fit連接、機(jī)械螺釘連接、快速插接還是母線，賽米控都可提供滿足您需求的合適產(chǎn)品。

同方迪一整流橋的關(guān)鍵特性

適合強(qiáng)制和自然風(fēng)冷，易于安裝可帶或不帶散熱器，絕緣外殼，高浪涌電流，快速插接或引線連接器。

同方迪一整流橋的應(yīng)用主要應(yīng)用

包括電池充電器、電機(jī)驅(qū)動輸入整流器、電源、直流電機(jī)控 制，帶PFC的整流器、AC控制器、可進(jìn)行自然對流或強(qiáng)制冷卻的靜 態(tài)開關(guān)（SKWT型）。

高壓整流橋越來越受到電源行業(yè)采購青睞的原因

為什么高壓整流橋會如此受到熱捧

我們知道早期的電源產(chǎn)品因?yàn)殡娮有袠I(yè)技術(shù)水平有限，所以大多電源都采用了低壓整流設(shè)計，將市電220V接入之后先經(jīng)過變壓器降到工作電壓，再經(jīng)過整流橋做低壓整流。

因?yàn)樵诋?dāng)時的技術(shù)工藝條件下，二極管芯片只能做到很低的耐壓,j口高壓大功率元器件比較少并且價格昂貴,所以電源整流方式基本都采用了這種傳統(tǒng)電路。這種電路的缺陷是電路中功率元器件會有一定損耗,導(dǎo)致終輸出電壓下降，工頻變壓器大而笨重，不利于產(chǎn)品的普及,那么如何可以解決這個功能缺陷呢？

隨著工藝技術(shù)水平的進(jìn)步二極管整流芯  片技術(shù)的不斷推出成新，耐電壓水平越做越高。大功率高壓元器件價格也逐漸降低,于是  采用高壓芯片的整流橋逐漸占據(jù)市場主流。高壓整流橋電路結(jié)構(gòu)可以設(shè)計為市電220V接  入，先做高壓整流再利用開關(guān)變壓器進(jìn)行減壓的方式。很好解決低壓整流效率的不足,體  積更小輕便,并且高壓整流橋適用范圍也為廣泛，所以逐漸贏得市場的追捧。

同方迪一分享整流橋的主要參數(shù)

整流橋的本質(zhì)是二極管，所以整流橋的主要參數(shù)與二極管類似。

①反向峰值電壓（VRRM）：整流橋能承受的反向電壓*大值，超過此值,整流橋擊穿。示例中GBJ2510反向峰值電壓為1000V。

②平均整流電流（Io）:整流橋長期工作時所能承受的流過的*大電流，超過這個值整流橋熱擊穿。示例中全系列整流橋的平均整流電流在帶散熱片的條件下為25A，不帶散熱片的條件下為4A。

③正向峰值浪涌電流（IFSM）：整流橋能扛住的瞬間電流沖擊*大值，超過此值，整流橋損壞。示例中全系列整流橋能在半個周期內(nèi)扛住的*大沖擊電流為320A。

為什么選擇同方迪一整流橋

我們的優(yōu)勢：提供一站式服務(wù)

1、高質(zhì)的芯片(芯片全部選用好的GPP玻璃鈍化芯片)

2、現(xiàn)貨充足(擁有1000平米超大倉庫，大量現(xiàn)貨，縮短交貨周期)

3、質(zhì)量優(yōu)勢(檢測Vb、Io、 Vf、lr等 12個參數(shù)經(jīng)過6道檢測, △V控制在80V以內(nèi)，提高4顆芯片的一致性和可靠性)

4、團(tuán)隊(來自臺灣強(qiáng)茂，日本新電源的多名工程師組成的技術(shù)團(tuán)隊)

5、自主品牌(引線框架自主研發(fā)自行生產(chǎn),降低生產(chǎn)成本，讓利客戶)

6、售后服務(wù)(售后服務(wù)團(tuán)隊，在線為您解答各類問題，您的需求就是我們努力的目標(biāo))