氧化鋅（ZnO）單晶是具有半導(dǎo)體、發(fā)光、壓電、電光等多種用途的功能晶體材料。不僅可用于制作紫外光電器件，也是高性1能的移動(dòng)通訊基片材料和優(yōu)1秀的閃爍材料；此外，氧化鋅（ZnO）與GaN的晶格失配度特別小，是GaN外延生長(zhǎng)zui理想的襯底材料。常見的氧化鋅（ZnO）屬六方晶系,纖鋅礦結(jié)構(gòu),點(diǎn)群為6mm,空間群為P6mc,z=2,a=0.32488mm,c=0.51969mm。znO晶體中,Z離子和O離子沿c軸交替堆積,(O001)面終結(jié)于正電荷Z離子,(0001)面終結(jié)于負(fù)電荷O離子,因此,氧化鋅（ZnO）單晶具有極性。

基于氧化鋅（ZnO）的紫外激光器的實(shí)現(xiàn)掀起了對(duì)于傳統(tǒng)的纖鋅礦結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體氧化鋅（ZnO）材料的新的研究熱潮.氧化鋅（ZnO）以其優(yōu)良的綜合性能將成為下一代光電子材料,因此對(duì)氧化鋅（ZnO）單晶的研究有重要的理論和實(shí)踐意義。氧化鋅（ZnO）晶體主要性能參數(shù)：透過(guò)范圍：0.4-0.6 um > 50% at 2mm；晶向：<0001>、<11-20>、<10-10>±0.5o 尺寸（mm） 25×25×0.5mm、10×10×0.5mm、10×5×0.5mm、5×5×0.5mm可按照客戶需求，定制特殊方向和尺寸的襯底。

氧化鋅（ZnO）晶體隨著環(huán)境條件的改變形成不同結(jié)構(gòu)的晶體。ZnO晶體中的化學(xué)鍵既有離子鍵的成分,又有共價(jià)鍵的成分,兩種成分的含量差不多,因而使得ZnO晶體中的化學(xué)鍵沒有離子晶體那么強(qiáng),導(dǎo)致其在一定的外界條件下更容易發(fā)生晶體結(jié)構(gòu)上的改變。氧化鋅（ZnO）半導(dǎo)體室溫帶隙為3.37eV,且束縛激子能高達(dá)60MeV,使其在紫外半導(dǎo)體光電器件方面具有很大潛在應(yīng)用價(jià)值。誘人的應(yīng)用前景和制備難度使得ZnO晶體的生長(zhǎng)技術(shù)成為材料研究的熱點(diǎn)。