光學(xué)鍍膜材料真空應(yīng)用領(lǐng)域

真空鍍膜是真空應(yīng)用領(lǐng)域的一個(gè)重要方面，它是以真空技術(shù)為基礎(chǔ)，利用物理或化學(xué)方法，并吸收電子束、分子束、離子束、等離子束、射頻和磁控等一系列新技術(shù)，為科學(xué)研究和實(shí)際生產(chǎn)提供薄膜制備的一種新工藝。簡(jiǎn)單地說(shuō)，在真空中把金屬、合金或化合物進(jìn)行蒸發(fā)或?yàn)R射，使其在被涂覆的物體（稱基板、基片或基體）上凝固并沉積的方法，稱為真空鍍膜。

眾所周知，在某些材料的表面上，只要鍍上一層薄膜，就能使材料具有許多新的、良好的物理和化學(xué)性能。在物體表面上鍍膜的方法主要有電鍍法和化學(xué)鍍法。前者是通過(guò)通電，使電解液電解，被電解的離子鍍到作為另一個(gè)電極的基體表面上，因此這種鍍膜的條件，基體必須是電的良導(dǎo)體，而且薄膜厚度也難以控制。后者是采用化學(xué)還原法，必須把膜材配制成溶液，并能迅速參加還原反應(yīng)，這種鍍膜方法不僅薄膜的結(jié)合強(qiáng)度差，而且鍍膜既不均勻也不易控制，同時(shí)還會(huì)產(chǎn)生大量的廢液，造成嚴(yán)重的污染。因此，這兩種被人們稱之為濕式鍍膜法的鍍膜工藝受到了很大的限制。

今天至成真空小編，就為大家詳細(xì)的介紹一下DLC真空鍍膜機(jī)的運(yùn)用領(lǐng)域和大概分哪些種類，這樣能幫助大家對(duì)DLC真空鍍膜機(jī)有一個(gè)全新的認(rèn)識(shí)。

金剛石膜(DLC)真空鍍膜設(shè)備主要是（集）直流磁控濺射，中頻濺射和電弧離子蒸發(fā)三種技術(shù)融合一體，結(jié)合線性離化源及脈沖偏壓鍍膜可使沉積顆粒細(xì)化膜層各項(xiàng)性能提高，能在金屬制品及非金屬表面鍍制合金膜、化合物膜、多層復(fù)合膜等。

DLC鍍膜設(shè)備是在中間設(shè)置真空室，在真空室的左右兩側(cè)設(shè)置左右大門，蒸發(fā)DLC鍍膜設(shè)備而在其中配裝蒸發(fā)裝置和磁控裝置，蒸發(fā)DLC鍍膜設(shè)備可在該雙門上預(yù)留該兩裝置的接口，以備需要時(shí)換裝。DLC鍍膜設(shè)備作為一種產(chǎn)生特定膜層的技術(shù)，在現(xiàn)實(shí)生產(chǎn)生活中有著廣泛的應(yīng)用。DLC鍍膜設(shè)備技術(shù)有三種形式，即蒸發(fā)鍍膜、濺射鍍膜和離子鍍。

真空鍍膜機(jī)的工作原理是怎樣的?

真空鍍膜機(jī)的運(yùn)用非常廣泛，涉入到各個(gè)行業(yè)，也廣受大家喜愛(ài)，那么它的工作原理是怎樣的呢？下面至成真空小編為大家詳細(xì)的介紹一下，希望能幫到大家：

真空鍍膜設(shè)備主要指需要在較高真空度下進(jìn)行的鍍膜，具體包括很多種類，包括多弧離子真空鍍膜設(shè)備，真空離子蒸發(fā)，光學(xué)鍍膜機(jī)，磁控濺射，MBE分子束外延，PLD激光濺射沉積等很多種。真空鍍膜的工作原理是膜體在高溫下蒸發(fā)落在工件表面結(jié)晶。由于空氣對(duì)蒸發(fā)的膜體分子會(huì)產(chǎn)生阻力造成碰撞使結(jié)晶體變得粗糙無(wú)光，所以必須在高真空下才能使結(jié)晶體細(xì)密光亮，如果真空度不高結(jié)晶體就會(huì)失去光澤結(jié)合力也很差。早期真空鍍膜是依靠蒸發(fā)體自然散射，結(jié)合差工效低光澤差?，F(xiàn)在加上中頻磁控濺射靶用磁控射靶將膜體的蒸發(fā)分子在電場(chǎng)的作用下加速轟擊靶材，濺射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子（或分子）沉積在基片上成膜，解決了過(guò)去自然蒸發(fā)無(wú)法加工的膜體品種，如鍍鈦鍍鋯等等。

引起鍍膜玻璃膜層不均勻原因多方面

二次污染造成的洗凈的玻璃在鍍膜前需經(jīng)過(guò)加熱，抽真空和濺射等過(guò)程，而使玻璃再次污染，從而使玻璃鍍膜后產(chǎn)生。玻璃加熱過(guò)程中再污染是加熱室或?yàn)R射室不干凈，而對(duì)玻璃再污染，這些污染源主要來(lái)源于擴(kuò)散泵返油、加熱室或?yàn)R射室內(nèi)臟、靶玻璃材濺射產(chǎn)生靶灰，殘余氣體壓強(qiáng)高等諸多方面。因?yàn)橐话愕墓腆w物質(zhì)，每單位表面積上的分子數(shù)大約為10個(gè)左右，在常Pa的壓強(qiáng)下，每秒鐘撞表面的分子數(shù)大體上相當(dāng)于覆蓋物質(zhì)積的分子數(shù)。在殘余氣體壓強(qiáng)為10的情況下，假如以每秒一層原子左右的形成速度進(jìn)行鍍膜時(shí)，則蒸發(fā)的原子和殘余氣體的分子幾乎是以相同的幾率碰撞基片。在濺射過(guò)程中在充入氣時(shí)壓強(qiáng)為10～10時(shí)所形成膜的速度和蒸發(fā)條件下基本相同。