可編程電源是用單片機(jī)以數(shù)字化形式控制的可調(diào)穩(wěn)壓電源

可編程電源是用單片機(jī)以數(shù)字化形式控制的可調(diào)穩(wěn)壓電源，其設(shè)定的參數(shù)可以存儲(chǔ)起來供日后調(diào)用?？删幊屉娫丛O(shè)定的參數(shù)比較多，包括基本的電壓設(shè)定、功率限制設(shè)定、過流設(shè)定以及擴(kuò)展的過壓設(shè)定等信息。通?？删幊屉娫淳哂休^高的設(shè)定分辨率，電壓和電流參數(shù)的設(shè)定都可以通過數(shù)字鍵盤輸入。中的可編程電源自身電壓漂移也很小，多用于科研場合。

穩(wěn)壓電源(stabilizedvoltagesupply)

穩(wěn)壓電源（stabilized voltage supply）是能為負(fù)載提供穩(wěn)定的交流電或直流電的電子裝置，包括交流穩(wěn)壓電源和直流穩(wěn)壓電源兩大類。直流穩(wěn)壓電源的供電電源大都是交流電源，當(dāng)交流供電電源的電壓或負(fù)載電阻變化時(shí)，穩(wěn)壓器的直流輸出電壓都會(huì)保持穩(wěn)定。 直流穩(wěn)壓電源隨著電子設(shè)備向高精度、高穩(wěn)定性和高可靠性的方向發(fā)展，對電子設(shè)備的供電電源提出了高的要求。

SiC開關(guān)器件功率處理能力的一個(gè)實(shí)例

作為與硅器件的粗略“數(shù)量級”比較，基于 SiC 的 MOSFET 器件阻斷電壓是前者的 10 倍，開關(guān)速度約是其 10 倍，25℃ 時(shí)的導(dǎo)通電阻只有其一半或更小。同時(shí)，工作溫度高可達(dá) 200℃（硅器件為 125℃），因而使熱設(shè)計(jì)和熱管理得以簡化。SiC 開關(guān)器件功率處理能力的一個(gè)實(shí)例是 ROHM Semiconductor 的 SCT3105KRC14，1200 V、24 A 的 N 溝道 SiC 功率 MOSFET，RDS(on) 典型值為 105 mΩ。該器件具有良好的熱阻特性，相對于施加的脈沖寬度能夠迅速達(dá)到大值（圖 3）。