刻蝕機

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刻蝕機是基于真空中的高頻激勵而產(chǎn)生的輝光放電將四氟化碳中的氟離子電離出來從而獲得化學活性微粒與被刻蝕材料起化學反應產(chǎn)生輝發(fā)性物質(zhì)進行刻蝕的。同時為了保證氟離子的濃度和刻蝕速度必須加入一定比例的氧氣生成二氧化碳。 　　

刻蝕機主要對太陽能電池片周邊的P—N結(jié)進行刻蝕，使太陽能電池片周邊呈開路狀態(tài)。也可用于半導體工藝中多晶硅，氮化硅的刻蝕和去膠。

反應離子刻蝕

反應離子腐蝕技術(shù)是一種各向異性很強、選擇性高的干法腐蝕技術(shù)。它是在真空系統(tǒng)中利用分子氣體等離子來進行刻蝕的，利用了離子誘導化學反應來實現(xiàn)各向異性刻蝕，即是利用離子能量來使被刻蝕層的表面形成容易刻蝕的損傷層和促進化學反應，同時離子還可清除表面生成物以露出清潔的刻蝕表面的作用。但是該刻蝕技術(shù)不能獲得較高的選擇比，對表面的損傷大，有污染，難以形成更精細的圖形。

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反應性離子刻蝕

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反應性離子刻蝕 （reaction ionetching；RIE）是制作半導體集成電路的蝕刻工藝之一。在除去不需要的集成電路板上的保護膜時，利用反應性氣體的離子束，切斷保護膜物質(zhì)的化學鍵，使之產(chǎn)生低分子物質(zhì)，揮發(fā)或游離出板面，這樣的方法稱為反應性離子刻蝕。