憑借較小的導(dǎo)通電阻及其在高溫下的性能

憑借較小的導(dǎo)通電阻及其在高溫下的性能，如今 SiC 已成為下一代低損耗開(kāi)關(guān)和阻斷元件可行的候選材料。相較于硅器件，SiC 器件具有眾多優(yōu)勢(shì)，因?yàn)楹笳呔哂懈叩膿舸╇妷杭捌渌匦?，包括：臨界電場(chǎng)擊穿電壓更高，因而在給定的額定電壓下工作時(shí)漂移層更薄，大幅減小導(dǎo)通電阻。導(dǎo)熱率更高，因而在橫截面上可以實(shí)現(xiàn)更高的電流密度。帶隙更寬，因而高溫下的漏電流較小。因此，SiC 二極管和 FET 常稱為寬帶隙 (WBG) 器件。

基于硅還是SiC的MOSFET通斷,都必須慎重考慮諸多相關(guān)細(xì)

無(wú)論是基于硅還是 SiC 的 MOSFET 通斷，都必須慎重考慮諸多相關(guān)細(xì)節(jié)：柵極驅(qū)動(dòng)電壓、電流、壓擺率、瞬態(tài)特性、過(guò)沖、輸入電容、電感以及許多其他靜態(tài)和動(dòng)態(tài)因素。柵極驅(qū)動(dòng)器可用于連接控制處理器輸出的相對(duì)簡(jiǎn)單的低電平信號(hào)與開(kāi)關(guān)器件的柵極輸入。這種特殊電源轉(zhuǎn)換器的輸出與功率器件的負(fù)載要求相對(duì)應(yīng)。

對(duì)于半橋或全橋等常用配置下的一對(duì)開(kāi)關(guān)器件，驅(qū)動(dòng)器模塊還須確保和低端器件不會(huì)同時(shí)導(dǎo)通，即使只是瞬間，因?yàn)檫@會(huì)導(dǎo)致電源軌接地。此外，在某些功率器件應(yīng)用中，功率器件路徑中單條或兩條都必須與系統(tǒng)地進(jìn)行電氣隔離，同時(shí)仍需為其提供相應(yīng)的性能。

電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)中需要了解從輸出端流向負(fù)載的電流

在許多電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)中，需要了解從輸出端流向負(fù)載的電流，而且這在幾乎所有工業(yè)應(yīng)用中都至關(guān)重要。在某些情況下，需要利用該電流值為轉(zhuǎn)換器提供反饋以實(shí)現(xiàn)閉環(huán)性能；在工業(yè)環(huán)境中，還需監(jiān)控負(fù)載以及電機(jī)失速或故障等情況。連續(xù)實(shí)時(shí)測(cè)量電流的一種方式是檢測(cè)負(fù)載串聯(lián)的電阻兩端的電壓。通常稱之為分流電阻器，但是在這種情況下該電阻器的作用并非如此。

從概念上說(shuō)，這種電流測(cè)量方式只是單純應(yīng)用歐姆定律而已。然而，在大電流工業(yè)轉(zhuǎn)換器設(shè)備等實(shí)際應(yīng)用中，卻面臨著諸多挑戰(zhàn)。首先，設(shè)計(jì)人員必須確定適當(dāng)?shù)碾娮柚怠４藭r(shí)就需要進(jìn)行權(quán)衡：電阻器阻值較大則 IR 壓降更大，可藉此提高分辨率和抗噪性，但同時(shí)耗散功率也更大，以致降低負(fù)載的軌電壓，并且可能對(duì)控制器/負(fù)載回路的穩(wěn)定性產(chǎn)生不利影響。

變電站直流電源系統(tǒng)典型缺陷及異常處理原則

變電站直流電源系統(tǒng)典型缺陷及異常處理原則：1. 蓄電池組熔斷器熔斷后，應(yīng)立即檢查處理，并采取相應(yīng)措施，防止直流母線失電。2.蓄電池組發(fā)生故障時(shí)，應(yīng)迅速隔離故障蓄電池，調(diào)整直流系統(tǒng)運(yùn)行方式或加裝備用蓄電池，保證直流系統(tǒng)重要負(fù)荷運(yùn)行正常。3. 當(dāng)單一直流充電模塊故障時(shí)，應(yīng)及時(shí)隔離并屏蔽故障充電模塊，加強(qiáng)設(shè)備巡視。4. 當(dāng)直流充電模塊整體故障時(shí)，應(yīng)迅速隔離故障充電裝置，調(diào)整直流系統(tǒng)運(yùn)行方式或加裝備用充電裝置，保證直流系統(tǒng)重要負(fù)荷運(yùn)行正常。