溫度對微弧氧化的影響

       微弧氧化與陽極氧化不同，所需溫度范圍較寬。一般為10—90度。溫度越高，成膜越快，但粗糙度也增加。且溫度高，會形成水氣。一般建議在20—60度。由于微弧氧化以熱能形式釋放，所以液體溫度上升較快，微弧氧化過程須配備容量較大的熱交換制冷系統(tǒng)以控制槽液溫度。所以微弧氧化過程中一定要控制好溫度。氧化時間對鋁合金微弧氧化效果的影響1、隨著氧化時間的增加，氧化工業(yè)鋁型材厚度增加，但有極限氧化工業(yè)鋁型材厚度。微弧、微弧氧化、微弧氧化技術、微弧氧化電源

影響微弧氧化的因素

1、微弧氧化時間的影響：微弧氧化時間一般控制在10～60min。氧化時間越長，膜的致密性越好，但其粗糙度也增加。

2、陰極材料：微弧氧化的陰極材料采用不溶性金屬材料。由于微弧氧化電解液多為堿性液，故陰極材料可采用碳鋼，不銹鋼或鎳。其方式可采用懸掛或以上述材料制作的電解槽作為陰極。微弧氧化電源、微弧氧化生產(chǎn)線、微弧氧化技術

微弧氧化技術的優(yōu)勢

       采用微弧氧化技術對鋁鎂鈦等輕金屬及其合金材料進行表面強化處理，微弧氧化處理后的鋁基表面陶瓷膜層具有硬度高，耐蝕性強，絕緣性好，膜層與基底金屬結合力強，并具有很好的耐磨和耐熱沖擊等性能。微弧氧化電解液電解液抗污染能力強和再生重復使用率高，因而對環(huán)境污染小，區(qū)別于傳統(tǒng)的電鍍非常環(huán)保，也符合我國可持續(xù)發(fā)展戰(zhàn)略的需要。微弧氧化，是在電解質溶液中（一般是弱堿性溶液）施加高電壓（直流、交流或脈沖）在材料表面原位生長陶瓷氧化膜的過程，該過程是物理放電與電化學氧化、等離子體氧化協(xié)同作用的結果。微弧氧化技術、微弧氧化生產(chǎn)線、微弧氧化電源、微弧氧化工藝

微弧氧化抹的特點

       微弧氧化處理后的鋁基表面陶瓷膜層具有硬度高，耐蝕性強，絕緣性好，膜層與基底金屬結合力強，并具有很好的耐磨和耐熱沖擊等性能。微弧氧化的合適放電區(qū)間較窄，要求對放電后的電參數(shù)控制比較好，大電流、高電壓對供電電源提出了高要求，由于對微弧氧化本質認識限制，使得電源的設計及制造仍停留在經(jīng)驗摸索層面上，帶有很大的盲目性。電解方式為先將電壓迅速上升至300V，并保持5～10s，然后將陽極氧化電壓上升至450V，電解5～10min。微弧氧化技術、微弧氧化生產(chǎn)線、微弧氧化電源